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2013.07.09
D拿掉问题就大了,R的损耗一直存在,效率就低了,且R的功率要加大.
加D 是在MOSFE关段时吸收掉变压器原边每转换的能量-漏感.
你说的是理想情况,没有考虑到漏感与电路分布参数的影响
你用示波器测试下MOSFET的波形就明白了
不太理解您的这句话,能给我详细解释下吗?感谢您!
你讲的RCD吸收我理解为反激模式.故有上面说法
同志你说的是 rCD吸收 呵呵, 我见过有地方加D有的地方没有,具体那些作用我也没了解过
fly-back with RCD snubber circuit, just have a look.
Design Guidelines for RCD Snubber
开关管的吸收多用RCD来吸收。输出二极管的多用RC吸收。
加上D后可以减少损耗,也就是只有在二极管D导通之后,才开始吸收。
RCD,如去掉D将增加开关管导通期间电流应力
整流二极管并联的RC主要对结电容与等效电感自激起阻尼作用
如果二极管结电容小,回复时间快也可以不加RC
您指的是增加RC放点回路的阻抗??可是放电的额时候D1(见上图)应该不导通吧
好版主说得太好了~
D在这里,起到一个单向导电的作用~
厉害厉害,佩服佩服。
总结:单向导通和损耗不同。
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