金刚线切片制绒工艺研究

方案一利用单晶硅常规各向异性碱腐蚀处理后该硅片可以形成大小均匀、成核密度较高的金字塔群，但切割痕不能有效去除硅片表面仍然存在依线痕而起的高低金字塔，平整度较差不利于丝网印刷。方案二工艺处理复杂，需经质量浓度8%NaOH与浓度12%NaOH两种高浓度碱腐蚀液做抛光腐蚀后前者线痕消除仍不明显后者减重较大线痕消除效果较好。但随着碱液腐蚀抛光的加剧硅片表面呈现阶梯状六面体，再在单晶常规碱制绒体系中腐蚀，金字塔粗糙度极大。方案三利用HF-HNO3酸制绒体系对切割造成的断裂损伤进行各向同性腐蚀（156mm*156mm硅片腐蚀量约0.18g~0.25g）缩小光滑切割纹底部与断裂损伤面的粗糙差异，用去离子水冲洗后再对其进行单晶常规碱制绒体系腐蚀制出大小均匀、粗糙度较好、成核密度高、光学显微镜观察硅片表面无明显线痕的单晶硅绒面。对各工艺制绒后硅片用HITACH公司的D-4100球型积分测试仪测试反射率（如图11），结果证明方案三反射率最低。