电撬设备
该类抑制器具有“电撬”特性,通常与4层NPNP硅控双极装置或等离子气体/GDT装置有关。 一旦达到阈值或转折电压,则电流的进一步增加将导致设备快速导电,其正向电压降仅为几伏。 实质上,线路在发生瞬态现象时将处于暂时的“短路”状态。
工作温度范围
设备应用电路的最低和最高环境工作温度。 工作温度不能对邻近元件造成影响,这是设计人员必须考虑的一个参数。
电容
允许电路元件储存电荷的电路元件属性。 在电路保护中,断态电容通常是在频率1 MHz、偏压2 V下测得的。
反向断态电压(VR)
对单向瞬态抑制二极管而言,在无大电流的情况下,这是可用于闭锁方向的最大峰值电压。 对双向瞬态而言,它适应于任一方向。 其含义与最大断态电压和最高工作电压相同。
击穿电压(VBR)
在指定的直流测试电流下测得的击穿电压,通常为1mA。 通常会说明最大与最小值。
峰值脉冲电流(IPP)
可重复施加的最大脉冲电流。 若经说明,通常可以是10x1000μs双指数波形,也可以是8x20μs。
最大钳位电压(VC 或VCI)
在出现最大峰值脉冲电流时,可从保护器上测得的最大电压。
峰值脉冲功率(PPP)
以瓦或千瓦表示,1ms指数瞬态值(请参阅第23页的图1),是IPP和VCL的乘积。
瞬态抑制二极管TVS的基本知识
二极管是大家熟悉的元件,但瞬态抑制二极管就可能不太熟悉了。本文将介绍这种特殊二极管的用途、 工作原理等基本知识。
各种电子设备中的各种半导体器件,一般都在直流低电压范围各作;如果在电源中串入一个瞬间上百伏甚室上千伏的高电压脉冲,就有可能将电路中的半导体器件击穿。例如,人体往往带有静电。放电时的电压脉冲可达几百状到上千伏。瞬态抑制二极管可用来保护电路,不使这种瞬态高压脉冲损坏半导体器件。
从稳压二极管说起
稳压二极管是大家比较熟悉的器件,其基本工作电路如图1所示。VIN是输入电压,R 是限流电阻、 VDz是稳压二极管。VIN可以在很大范围内变化,只要限流电阻有足够大,使产生的 IZ 电流在允许范围内、则输出电压VZ 变化是很小的。稳压二极管工作在反向击穿状态。它电流变化 △I 较大,但愉出电压变化△V甚小,起到稳压作用。当VIN 的电压已超过可以击穿电路的半导体器件的电压时,由于稳压二极管输出电压Vz基本不变,电路仍能正常工作。
瞬态抑制二极管简介
瞬态抑制二极管的结构与稳压二极管相似,连符号也一样。
瞬态抑制二极管(TVS)工作原理与稳压二极管一样,但结构上有差别。其最大的差别是一般稳压二极管组成的 PN 结面积很小。它能承受的反向电流较小。一般小功率稳压管 (0.5-1W)其最大反向龟流为几十毫安到几百毫安。而瞬态抑制二极管的PN结面积较大,可耗散的功率较大,允许最大的反向电流可达几安 到几十安。因此它可以吸收瞬时高电压脉冲所造成的瞬间大电流。一般稳压二极管是0.5-3W, 而瞬间二 极管达300w到1500W ,有些用于高压的可达1OkW 以上。
例如,一种反向击穿电压Vbr为6.4-7.3V、耗散g功率为500W 的瞬态二极管,它能承受的最大脉冲电流 IPP是52- 54A。
利用瞬态二极管作保护的电路如图2所示,它并联在保护的电路上。要注意的是它不需要限流电阻R。如 果被保护的电路工作电压是+5V,则可选6.5- 7V击穿的二极管。在正常工作时,瞬态二极管不工作,相当开路;当工作电压中有瞬间高压脉冲时,瞬态二极管在高压脉冲作用瞬间被籍位于9V左右,这瞬间9V电压对 5V 工作的电路是安全的。当高压脉冲过去后,瞬态二极管又相当开路,由此可见在电源电压正常时(或略有波动时)瞬态二极管不工作,也不损耗电路。在有瞬间高压脉冲时,它吸收了瞬间大电流而钳位在比工作电源略高的电压上保护了电路。它可以反复使用,有很长收使用寿命。
图3的电路能对正瞬态脉冲钳位,为能在正反脉冲时都能起保护作用,可采用图4 双向瞬间二极管,它相当于 两个瞬态二极管反相串联在一起。不论正负瞬态高压脉冲都可以获得保护,并且不影响电路的正常工作。
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