这两个原理图是我设计的另一种脉宽调制(PWM)电路。该图是为12V电压设备使用的两个版本。负极端控制版本使用一个N沟道FET,正极端控制版本采用了P沟道FET。N沟道器件处理更大的电流和成本小于P沟道器件。当负载的一侧上具有接地电路,正极控制版本是有用的。
该电路可以切换相当高的量的电流,IRFZ34N MOSFET如果连接到一个适当的散热器可处理超过35安培。高功率FET,如IRFZ48N或IRF1010Z可以如果甚至更大的电流需要被取代。另外,也可以连接多个并联的FET为更大的电流容量。始终使用导热硅脂的场效应管和散热片之间,并记住,散热器是带电。
感性负载(电机)可能需要特殊的照顾,因为它们可以产生较大的电压尖峰会损坏MOSFET。具有快速恢复二极管更换1N4002可以帮助驱动感性负载时,如电机吸收反向电压。如果您使用这些电路用于电动车实验,一定要在与电池串联的电路安装断路器,这是特别重要的,由于这一事实,即,当MOSFET控制失败,他们经常短路,马达全速。
在功率MOSFET晶体管的栅极侧的100欧姆电阻结合的晶体管的栅极电容组??成的低通滤波器。这会减慢MOSFET的导通和关断略有减少射频(RF)开关噪声。
注意:如果电路没有完全打开和关闭时,调整10K电位器上下电阻的取值。
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