IGBT吸收电路参数的计算方法
在工程实践中广泛采用RCD吸收电路,所以RCD电路设计参数的选择非常重要,本文主要叙述RCD电路的参数设计,当然IGBT逆变电源的电路设计时理论与实际相结合的结果,计算公式得到的参数不能代替试验中测量调试的结果,不过计算可以预测实验结果给出大致的参数范围,方便工程人员进行调试,所以两者相辅相成,工程设计中都不可轻视。
1.缓冲电容Cs的计算
根据△U的表达式可以得到缓冲电容的计算方式为
对于有些封装有2~6单元的IGBT模块来说,L7+L8=0,如果缓冲电路贴在模块的上方安装,则L3+L4=0,此时只存在直流母线到模块之间的分布电感,因此2.缓冲电阻Rs的计算
Rs是Cs的放电电阻,,当用时的来确定Rs的值,得到t=2.3RsCs,由可以得出: 缓冲电阻Rs的功率由缓冲电路的损耗来确定。缓冲电路的损耗为
对于2~6单元的IGBT模块来说: 式中I为负载电流的有效值;fs是开关管V1的开关频率。
RCD缓冲电路的特点是能有效抑制开关管关断损耗,但同时也引起了开关管的导通附加损耗,缓冲电容Cs1和Cs2放电时,其所储能量分别消耗在电阻Rs1和Rs2上。总能量损耗正比于Cs·fs,Cs越大,fs越高,缓冲电路的损耗也就越大,有时可能造成缓冲电阻过热。减小缓冲电路损耗的办法时:缓冲二极管的开通延时;Rs和Cs选用无感原件;PCB布线尽量要短以减小寄生电感的不良影响。
IGBT吸收(缓冲)电路还有其他的电路形式,根据不同的应用需求,读者还可以在本文的基础上继续寻找更加丰富的资料。
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