驱动条件对IGBT的性能和应用有什么影响

栅极驱动电压VGE与栅极电阻RG对IGBT的主要影响参见表1。需要一说明的是，这里的IGBT指的是N型IGBT。

表1 栅极驱动条件对IGBT的影晌

项目正向偏置电压+Vge反向偏置电压-VgeRg↑

饱和压降Vce(set)↓基本无影响↑

开通时间ton↓基本无影响↑

开通功耗Eon

关断时间toff基本无影响↓↑

关断功耗Eoff

开通浪涌电压↑基本无影响↓

关断浪涌电压基本无影响↑↓

FED反向恢复时间的dv/dt↑↓↓

表 1 中的内容可以佐证以下值得我们关注的结论。

·1.  VGES远不止手册给出的土20V(第3章已指出)，进行实际测定并 留有合适的裕量、选择比较高的栅极正向偏置电压利大于弊。

·2. 增加VGE能够增加IGBT的饱和深度，但大于15V以后对饱和压降的影响也是微乎其微的。

·3. 反向偏置电压的绝对值越高越有利，一般推荐的数值是—5~—15V。实际上，如果确定是安全的，—20V也许更为合适。

·4. 表面上看，RG似乎取比较小的值有利，因为减小dv/dt的问题更为重要——发射极有限流电阻时，还能加强反馈作用，提高IGBT的稳定性。因此，当开关功耗不是主要矛盾时，应该选择比较大的RG，如高压应用场合，就应该选择比较大的RG值。