栅极驱动电压VGE与栅极电阻RG对IGBT的主要影响参见表1。需要一说明的是,这里的IGBT指的是N型IGBT。
表1 栅极驱动条件对IGBT的影晌
项目正向偏置电压+Vge反向偏置电压-VgeRg↑
饱和压降Vce(set)↓基本无影响↑
开通时间ton↓基本无影响↑
开通功耗Eon
关断时间toff基本无影响↓↑
关断功耗Eoff
开通浪涌电压↑基本无影响↓
关断浪涌电压基本无影响↑↓
FED反向恢复时间的dv/dt↑↓↓
表 1 中的内容可以佐证以下值得我们关注的结论。
·1. VGES远不止手册给出的土20V(第3章已指出),进行实际测定并 留有合适的裕量、选择比较高的栅极正向偏置电压利大于弊。
·2. 增加VGE能够增加IGBT的饱和深度,但大于15V以后对饱和压降的影响也是微乎其微的。
·3. 反向偏置电压的绝对值越高越有利,一般推荐的数值是—5~—15V。实际上,如果确定是安全的,—20V也许更为合适。
·4. 表面上看,RG似乎取比较小的值有利,因为减小dv/dt的问题更为重要——发射极有限流电阻时,还能加强反馈作用,提高IGBT的稳定性。因此,当开关功耗不是主要矛盾时,应该选择比较大的RG,如高压应用场合,就应该选择比较大的RG值。
本站仅提供存储服务,所有内容均由用户发布,如发现有害或侵权内容,请
点击举报。