温度控制器电路图（十三）

本文介绍的温度控制器，温度控制范围为5～95℃，可广泛应用于工农业生产方面的温度自动控制。

电路工作原理

该温度控制器电路由电源电路、温度检测电路、基准电压电路、温度指示电路、电压比较放大电路和控制执行电路组成，如图所示。

传输文件进行 [薄膜开关] 打样

电源电路由电源开关S、电源变压器T、整流桥堆UR、滤波电容器C1、C2、三端稳压集成电路IC2 限流电阻器RIO和电源指示发光二极管VL1组成。

温度检测电路有晶体管式温度传感器VI、电阻器RI、电容器C3和运算放大器集成电路IC1（Nl～N4）内部的Nl组成。

基准电压电路由电阻器R4、R5、R8、电位器RP1～RP3、稳压二极管vs和IC1内部的N4组成。

温度指示电路由电阻器R2、R3、IC1内部的N2和电压表PV组成。

电压比较放大电路由IC1内部的N3和电阻器R6、R7组成。

控制执行电路由电阻器R9、晶体管V2、继电器K、二极管VD和工作指示发光二极管YL2组成。

接通电源开关S，交流220V电压经T降压、UR整流、C1滤波及IC2稳压后，为IC1、基准电压电路和控制执行电路提供+9V工作电压，同时将VLI点亮。

+9V电压经R5限流 VS稳压后产生+6V左右的基准电压，一路经R4、RPI分压后为N2的正相输人端提供基准电压：另一路先经N4缓冲放大，然后经RP2、RP3分压后，再经R8加至M的正相输人端，作为N3的基准电压。

VI发射结的电压降（Vbe）随着环境温度的变化而变化。温度上升时，VI的导通内阻变小，发射结的电压降也减小，使N1的输出电压降低，N2的输出电压升高，N4的输出电压则下降。

PV用来指示VI检测的温度值（灵敏度为10mV/℃），若PV指示电压值为250mV，则表明温度为25℃。

RP3用来设定控制温度值；RP2用来设定RP3的最大输出电压（调节RP2的阻值，使RP3的最大输出电压为IV）；RP1用来设定N2正相输人端的基准电压（调节RP1的阻值，使N2的正相输入端电压为530mV）。

在VI检测到环境温度低于RP3的设定温度时，N3输出低电平（约0．65V），使V2饱和

导通，K通电吸合，VL2点亮，电加热器通电工作，使环境温度缓慢上升。当温度升高至设定温度时，N3又输出低电平（约7.7V），使V2截止，K释放，VL2熄灭，电加热器EH断 ·电而停止加热。随后环境温度又缓慢下降，当温度降至RP3的设定温度时，K又吸合，EH又通电加热。如此周而复始，使受控场所的温度恒定在设定温度附近。

元器件选择

RI、R4～RIO选用1／4＼7金属膜电阻器或碳膜电阻器；R2和R3均选用精度为1％的金

属膜电阻器。

RP1～RP3均选用小型合成膜电位器。

C1和C2均选用耐压值为16V的铝电解电容器；C3选用独石电容器或涤纶电容器。

VD选用1N4001或1 N4007型硅整流二极管。

VS选用1W、6V左右的硅稳压二极管，例如1N4735等型号。

VL1和VL2均选用￠5mm的发光二极管，VL1为红色，VL2为绿色。

UR选用IA、50Y的整流桥堆，也可用4只1N4001桥接后代替。

Ⅵ选用MTS-102型晶体管式温度传感器（也可用负温度系数的热敏电阻器代替）；V2选用58050型硅PNP晶体管。

IC1选用LM324型四运放集成电路；IC2选用78［09型三端稳压集成电路。

K选用JRX-13F型9V直流继电器（若用于控制较大功率的电热器，应使用交流继电器。即使用继电器来控制交流接触器，再通过交流接触器来控制电热器）。

PV选用1000mV的电压表。

T选用3～5W、二次电压为12Y的电源变压器。

S选用5A、220V的交流电源开关。

EH的功率应根据实际应用来选择。

欢迎转载，信息维库电子市场网（www.dzsc.com）