摘要:IR公司最新推出的低导通电阻MOSFET功率管IRFPS37N50A,使全桥变换器只需采用二个MOSFET和二个IGBT就能实现软开关电源单机输出功率3000W。
参数 | 名称 | 第三代IRFP460(1985) | 第四代IRFP460LC(1994) | 第五代IRFPS37N50A(1998) |
封装 | 外形 | TO-247 | TO-247 | SUPER-247 |
BVDSS(V) | 漏-源击穿电压 | 500 | 500 | 500 |
ID(On)(A) | 通态漏极电流 | 20 | 20 | 36 |
RDS(On)(Ω) | 通态电阻 | 0.27 | 0.27 | 0.13 |
EAS(mJ) | 重复寻崩能量 | 28 | 28 | 44 |
Ciss(pF) | 输入电容 | 4200 | 3600 | 5579 |
Coss(pF) | 输出电容 | 870 | 440 | 810 |
Crss(pF) | 反向传输电容 | 350 | 39 | 36 |
Qg(nC) | 总栅电荷 | 210 | 120 | 180 |
Qgs(nC) | 栅-源电荷 | 29 | 32 | 46 |
Qgd(nC) | 栅-漏Miller电荷 | 110 | 49 | 71 |
td(on)(ns) | 导通延迟时间 | 18 | 18 | 23 |
tr(ns) | 上升时间 | 59 | 77 | 98 |
td(off)(ns) | 关断延迟时间 | 110 | 40 | 52 |
tr(ns) | 下降时间 | 58 | 43 | 80 |
VSD(V) | 体二极管正向压降 | 1.8 | 1.8 | 1.5 |
trr(ns) | 体二极管反向恢复时间 | 570 | 570 | 570 |
参数值 | 最大值 | 单位 | |
ID@ Tc=25℃ | 连续导通的漏极电流,VGS@ 10V | 36 | A |
ID@ Tc=100℃ | 连续导通的漏极电流,VGS@ 10V | 23 | |
IDM | 脉冲漏极电流 | 144 | |
PD@ Tc=25℃ | 功率损耗 | 446 | W |
线性减少额定值因数 | 3.6 | W/℃ | |
VGS | 栅极-源极电压 | 30 | V |
dv/dt | 峰值二极管恢复dv/dt | 3.5 | V/ns |
Tj TSTG | 工作结温和储存温度范围 | -55 to+150 | ℃ |
焊接温度(10秒内) | 300(1.6mm离管壳) |
参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 条件 | |
V(BR)DSS | 漏极-源极击穿电压 | 500 | - | - | V | VGS=0V, ID=250μA |
RDS(on) | 静态漏极-源极导通电阻 | - | - | 0.13 | Ω | VGS=10V, ID=22A |
VGS(th) | 梵极门发电压 | 2.0 | - | 4.0 | V | IDS=VGS, ID=250μA |
IDSS | 漏极-源极漏电流 | - | - | 25 | μA | VDS=500V, VGS=0V |
- | - | 250 | VDS=400, VGS=0V,Tj=150℃ | |||
IGSS | 栅极-源极反向漏电流 | - | - | 100 | nA | VGS=30V |
- | - | -100 | VGS=-30V |
参数 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 条件 | |
gfs | 正向跨导 | 20 | - | - | s | VDS=50V,ID=22A |
Qg | 总栅电荷 | - | - | 180 | nC | ID=36A, VDS=400A, VGS=10V,见图12 |
Qgs | 栅极-源极电荷 | - | - | 46 | ||
Qgd | 栅-漏极(Miller)电荷 | - | - | 71 | ||
td(on) | 导通延迟时间 | - | 23 | - | ns | VDD=250 I36=A RG=2.15Ω RD=7.0Ω |
tr | 上升时间 | - | 98 | - | ||
td(off) | 截止延迟时间 | - | 52 | - | ||
tf | 下降时间 | - | 80 | - | ||
Ciss | 输入电容 | - | 5579 | - | pF | VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz,见图11 |
Coss | 输出电容 | - | 810 | - | ||
Crss | 反向传输电容 | - | 36 | - | ||
Coss | 输出电容 | - | 7905 | - | VGS=0V,VDS=1.0V, f=1.0MHz | |
Coss | 输出电容 | - | 221 | - | VGS=0V,VDS=400V, f=1.0MHz | |
Coss eff. | 有效输出电容 | - | 400 | - | VGS=0V, VDS=0V~400V | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | - | 1260 | mJ | ||
IAR | 雪崩电流 | - | 36 | A | ||
EAR | 重复雪崩能量 | - | 44 | mJ | ||
RθJC | 结-管壳 | - | 0.28 | ℃/W | ||
RθCS | 管壳-散热片、平板玻璃、聚脂表面 | 0.24 | - | |||
RθJA | 结-环境 | - | 40 | |||
Is | 连续导通源极电流(体二极管) | - | - | 36 | A | MOSFET![]() 符号表示 整体反接 PN结极管 |
ISM | 脉冲源极电流(体二极管) | - | - | 144 | ||
VSD | 二极管正向电压 | - | - | 1.5 | V | TJ=25℃,Is=36A VGS=0V |
trr | 反向恢复时间 | - | 570 | 860 | ns | TJ=25℃,IF=36A di/dt=100A/μs |
Qrr | 反向恢复电荷 | - | 8.6 | 13 | μC | |
ton | 正向导通时间 | 本征导通时间可以忽略(导通由Ls+LD支配) |
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