新金属芯片: 让储存速度提高100倍

更快、更密集的数据存储革命即将来临了吗？据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究，一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维（2D）金属，其厚度仅三个原子，其可代替硅芯片存储数据，且比硅芯片更密集、更小、更快，也更节能，同时储存速度提高了100倍之多。

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研究人员对二碲化钨薄层结构施加微小电流，使其奇数层相对于偶数层发生稳定的偏移，并利用奇偶层的排列来存储二进制数据。数据写入后，他们再通过一种称为贝利曲率的量子特性，在不干扰排列的情况下读取数据。

与现有的基于硅的数据存储系统相比，新系统具有巨大优势——它可以将更多的数据填充到极小的物理空间中，并且非常节能。此外，其偏移发生得如此之快，以至于数据写入速度可以比现有技术快100倍。

对超薄层进行非常小的调整，就会对它的功能特性产生很大的影响，而人们可以利用这一知识来设计新型节能设备，以实现可持续发展和更智慧的未来存储方式。

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二碲化钨是一种无机化合物，化学式为WTe2，常温常压下为灰色固体。二碲化钨是目前已知的第一种存在“铁电”现象的二维材料。在此之前，科学家们只在电绝缘体中发现过“铁电翻转”。然而二碲化钨并非电绝缘体，而是一种不良金属。

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二碲化钨可以在室温下保持稳定的“铁电翻转”，不会随着时间推移而衰退。这与许多传统的三维铁电材料截然不同。这些特性可以使得二碲化钨成为比其他铁电化合物更小、应用更为广泛的技术材料。