拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中的线性磁阻

关童 滕静 吴克辉 李永庆    

中国科学院物理研究所, 北京凝聚态物理国家实验室, 北京 100190    

关键词: 拓扑绝缘体,  薄膜,  线性磁阻

DOI: 10.7498/aps.64.077201

物理学报,2015, 64(07): 077201        

              

     本文报道了拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作. 此体系中, 线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现: 磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势, 并且当温度不高于50 K时, 线性磁阻的大小对温度的变化不敏感. 栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小. 当化学势接近狄拉克点时, 线性磁阻最为显著. 这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.

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