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CD4094中文资料
CD4094 位移位存储总线寄存器: CD4094是带输出锁存和三态控制的串入/并出高速转换器,具有使用简单、功耗低、驱动能力强和控制灵活等优点。
CD4094的引脚定义如图1。其中(1)脚为锁存端,(2)脚为串行数据输入端,(3)脚为串行时钟端。(1)脚为高电平时,8位并行输出口Q1~Q8在时钟的上升沿随串行输入而变化;(1)脚为低电平时,输出锁定。利用锁存端可方便地进行片选和级联输出控制。(15)脚为并行输出状态控制端,(15)脚为低电平时,并行输出端处在高阻状态,在用CD4094作显示输出时,可使显示数码闪烁。(9)脚QS、(10)脚Q′S是串行数据输出端,用于级联。QS端在第9个串行时钟的上升沿开始输出,Q′S端在第9个串行时钟的下降沿开始输出。838电子
当CD4094电源为5V时,输出电流大于3.2MA,灌电流为1 MA。串行时钟频率可达2.5MHZ。838电子
CD4094引脚
CD4094真值表:
Clock Output Enable Strobe Data Parallel Outputs 并行输出Serial Outputs 串行输出
Q1 QN QS (Note 1) Q S
↑0 X X 三态 三态 Q7 不变
↓0 X X 三态 三态 不变 Q7
↑1 0 X 不变 不变 Q7 不变
↑1 1 0 0 QN-1 Q7 不变
↑1 1 1 1 QN-1 Q7 不变
↓1 1 1 不变 不变 不变 Q7
CD4094内部电路方框图
Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值:
Supply Voltage电源电压(VDD) -0.5 to +18 VDC
Input Voltage输入电压 (VIN)  838电子-0.5 to VDD +0.5 VDC
Storage Temperature Range储存温度范围 (TS) -65℃ to +150℃
Power Dissipation功耗 (PD)
Dual-In-Line 普通双列封装新艺图库700 mW
Small Outline 小外形封装 500 mW
Lead Temperature 焊接温度(TL)
Soldering, 10 seconds)(焊接10秒) 260℃
Recommended Operating Conditions 建议操作条件:
DC Supply Voltage 直流供电电压 (VDD) +3.0 to +15 VDC
Input Voltage输入电压 (VIN)  838电子0 to VDD VDC
Operating Temperature Range工作温度范围 (TA) -40℃ to +85℃
DC Electrical Characteristics 直流电气特性:
Symbol符号
Parameter参数
Conditions 条件
-40°C +25°C +85°C Units 单位
最小最大最小典型最大最小最大
IDD
Quiescent Device Current静态电流
VDD = 5.0V
20   20  150 μA
VDD = 10V
40   40  300
VDD = 15V
80   80  600
VOL
LOW Level Output Voltage 输出低电平电压
VDD=5.0V
|IO|≤1.μA 0.05  0 0.05  0.05 V
VDD=10V
0.05  0 0.05  0.05
VDD=15V
0.05  0 0.05  0.05
VOH
HIGH Level Output Voltage 输出高电平电压
VDD=5.0V
|IO|≤1μA4.95  4.95 5.0  4.95  V
VDD=10V
9.95  9.95 10.0  9.95
VDD=15V
14.95  14.95 15.0  14.95
VIL
LOW Level Input Voltage 输入低电平电压
VDD = 5.0V, VO = 0.5V or 4.5V
1.5   1.5  1.5 V
VDD = 10V, VO = 1.0V or 9.0V
3.0   3.0  3.0
VDD = 15V, VO = 1.5V or 13.5V
838电子4.0   4.0  4.0
VIH
HIGH Level Input Voltage 输入高电平电压
VDD = 5.0V, VO = 0.5V or 4.5V
3.5  3.5   3.5  V
VDD = 10V, VO = 1.0V or 9.0V
7.0  7.0   7.0
VDD = 15V, VO = 1.5V or 13.5V
11.0  11.0   11.0
IOL
LOW Level Output Current 输出低电平电流 (Note 4)
VDD=5.0V,VO=0.4V
0.52  0.44 0.88  0.36  mA
VDD=10V,VO=0.5V
1.3  1.1 2.25  0.9
VDD=15V,VO=1.5V
3.6  3.0 8.8  2.4
IOH
HIGH Level Output Current 输出高电平电流 (Note 4)
VDD=5.0V,VO =4.6V
-0.52  -0.44 0.88  -0.36  mA
VDD =10V,VO= 9.5V
-1.3  -1.1 2.25  -0.9
VDD=15V,VO =13.5V
-3.6  -3.0 8.8  -2.4
IIN
Input Current 输入电流
VDD =15V,VIN =0V
-0.3   -0.3  -1.0 μA
VDD=15V,VIN =15V
0.3   0.3  1.0
IOZ
3-STATE Output Leakage Current 3态输出漏电流
VDD=15V,VIN=0V or 15V
1   1  10 μA
AC Electrical Characteristics 交流电气特性:
Symbol 符号
Parameter 参数  838电子Conditions 条件 最小 典型 最大 Units 单位
tPHL, tPLH Propagation Delay Clock to QS VDD = 5.0V  300 600 ns
VDD = 10V  125 250
VDD = 15V  95 190
tPHL, tPLH Propagation Delay Clock to Q¢ S VDD = 5.0V   230 460  ns
VDD = 10V 110 220
VDD = 15V  75 150 ns
tPHL, tPLH Propagation Delay Clock to Parallel Out VDD = 5.0V  420 840 ns
VDD = 10V  195 390
VDD = 15V  135 270
tPHL, tPLH Propagation Delay Strobe to Parallel Out VDD = 5.0V  290 580 ns
VDD = 10V  145 290
VDD = 15V  100 200
tPHZ Propagation Delay HIGH Level to HIGH Impedance VDD = 5.0V  140 280 ns
VDD = 10V  75 150
VDD = 15V  55 110
tPLZ Propagation Delay LOW Level to HIGH Impedance VDD = 5.0V  140 280 ns
VDD = 10V  75 150
VDD = 15V  55 110
tPZH Propagation Delay HIGH Impedance to HIGH Level VDD = 5.0V  140 280 ns
VDD = 10V  75 150
VDD = 15V  55 110
tPZL Propagation Delay HIGH Impedance to LOW Level VDD = 5.0V  140 280 ns
VDD = 10V  75 150
VDD = 15V  55 110
tTHL, tTLH Transition Time过渡时间 VDD = 5.0V  100 200 ns
VDD = 10V  50 100
VDD = 15V  40 80
tSU Set-Up Time Data to Clock 建立时间数据时钟VDD = 5.0V 80 40  ns
VDD = 10V 40 20
VDD = 15V 20 10
tr, tf Maximum Clock Rise and Fall Time最大时钟上升和下降时间 VDD = 5.0V 1   ms
VDD = 10V 1
VDD = 15V 1
tPC Minimum Clock Pulse Width最小时钟脉冲宽度 VDD = 5.0V 200 100  ns
VDD = 10V 100 50
VDD = 15V 83 40
tPS Minimum Strobe Pulse Width VDD = 5.0V 200 100  ns
VDD = 10V 80 40
VDD = 15V 70 35
fmax Maximum Clock Frequency 最大时钟频率 VDD = 5.0V 1.5 3.0  MHz
VDD = 10V 3.0 6.0
VDD = 15V 4.0 8.0
CIN Input Capacitance 输入电容 Any Input  5.0 7.5 pF
测试电路和3态时序图
时序图
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