【BLE】CC2541之SNV

本篇博文最后修改时间：2017年01月06日，11:06。

一、简介

本文以SimpleBLEPeripheral工程为例，介绍SNV的使用。

二、实验平台

协议栈版本：BLE-CC254x-1.4.0

编译软件：IAR 8.20.2

硬件平台：Smart RF开发板（主芯片CC2541）

三、版权声明

博主：甜甜的大香瓜

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四、实验前提

1、在进行本文步骤前，请先阅读以下博文：

暂无

2、在进行本文步骤前，请先实现以下博文：

暂无

五、基础知识

1、SNV是什么？

答：

NV就是从内部flash划分出来的一块专用于存储数据的flash。

NV就是Non-Volatile (非易挥发)，香瓜在文档中看到的都是NV，很长一段时间困惑为什么大家都叫它SNV。

详细阅读OSAL API.pdf（位于C:\Texas Instruments\BLE-CC254x-1.4.0\Documents\osal）后发现，该文档第10章讲解的是NV，第11章则讲述的是SNV（Simple Non-Volatile）。

2541的协议栈用的是SNV（8位ID），而不是NV（16位ID）。

由这个线索，将我心中的各种百度不到的SNV的疑问也都迎刃而解了。

注：详细了解SNV后才发现我低估它了，并不像多数SNV资料中写的那么简单，因此本篇增加了大篇幅来解析SNV是怎么一回事。

2、SNV有多大？

答：

1）在C:\Texas Instruments\BLE-CC254x-1.4.0\Projects\ble\common\cc2540\ti_51ew_cc2540b.xcl中有这么两段代码：

[cpp] view plain copy

1. // Setup of CODE banks  
2. // -------------------  
3. //  
4. -D_BANK0_START=0x00000         // Note: Unconventional bank numbering on this part:  
5. -D_BANK0_END=0x07FFF           //       "BANK0" is the root bank/common area!  
6. //  
7. -D_BANK1_START=0x18000  
8. -D_BANK1_END=0x1FFFF  
9. //  
10. -D_BANK2_START=0x28000  
11. -D_BANK2_END=0x2FFFF  
12. //  
13. -D_BANK3_START=0x38000  
14. -D_BANK3_END=0x3FFFF  
15. //  
16. -D_BANK4_START=0x48000  
17. -D_BANK4_END=0x4FFFF  
18. //  
19. -D_BANK5_START=0x58000  
20. -D_BANK5_END=0x5FFFF  
21. //  
22. -D_BANK6_START=0x68000  
23. -D_BANK6_END=0x6FFFF  
24. //  
25. -D_BANK7_START=0x78000  
26. // End of code space has to match that of OSAL NV page start.  
27. // Note that in this way, we'll be wasting last page spaced by NV pages,  
28. // but in order not to overwrite NV pages when downloading new image, the waste  
29. // is inevitable.  
30. // New OSAL NV driver will move the NV pages to the last pages not wasting  
31. // last page itself.  
32. -D_BANK7_END=(_BLENV_ADDRESS_SPACE_START-1)  

上面这段代码说明256K的flash被分为8个BANK，每块BANK为32K。

在第8块BANK的末尾分出了一块flash，用于NV。

[cpp] view plain copy

1. // Internal flash used for NV address space.  
2. // ---------------------------  
3. //  
4. // Address range for HAL_FLASH_PAGE_SIZE == 2048  
5. -D_BLENV_ADDRESS_SPACE_START=0x7E800  
6. -D_BLENV_ADDRESS_SPACE_END=0x7F7FF  
7. //  
8. // Address range for HAL_FLASH_PAGE_SIZE == 4096  
9. //-D_BLENV_ADDRESS_SPACE_START=0x7D000  
10. //-D_BLENV_ADDRESS_SPACE_END=0x7EFFF  
11. //  
12. -Z(CODE)BLENV_ADDRESS_SPACE=_BLENV_ADDRESS_SPACE_START-_BLENV_ADDRESS_SPACE_END  

上面这段代码说明NV的起始地址是0x7E800，终止地址是0x7F7FF，两个数值之间有4096个字节，也就是4K。（注释部分为8192字节，也就是8K）

这个NV大小我们可以根据需要来改变，当然NV的flash大了、放代码的flash就小了。

2）在TI的技术论坛看到这么一句话也印证了上述说法：

3、SNV的接口资料哪里有？

答：OSAL API.pdf（位于C:\Texas Instruments\BLE-CC254x-1.4.0\Documents\osal）

4、使用SNV有什么需要注意的？

答：

在OSAL API.pdf的文档中提到了几个注意点：

1）写SNV会耗时百毫秒级，尽可能在写的时候关闭中断。

2）尽可能地少写SNV，因为它耗时耗电。

3）如果SNV的存储结构改变，或者协议栈版本升级了，有必要重新擦除和初始化SNV内存数据，否则读写时会出错。

4）尽量不要把SNV的代码放到中断函数里。

香瓜也补充一个很重要的注意点：

IAR的debug仿真时默认是全片擦除，因此会擦除flash中的code、NV。

所以经常有群友来回仿真调试时发现自己写的掉电保存数据没了，不知所以然，问题就出在这里。

解决办法：

（具体我也不知道该怎么填，大家自行百度或实验吧）

5、SNV的哪些ID是可以用的？

答：

在bcomdef.h中已经定义了一些我们不能用的SNV的ID：

[cpp] view plain copy

1. /** @defgroup BLE_NV_IDS BLE Non-volatile IDs 
2.  * @{ 
3.  */  
4. // Device NV Items -    Range 0 - 0x1F  
5. #define BLE_NVID_IRK                    0x02  //!< The Device's IRK  
6. #define BLE_NVID_CSRK                   0x03  //!< The Device's CSRK  
7. #define BLE_NVID_SIGNCOUNTER            0x04  //!< The Device's Sign Counter  
8.   
9. // Bonding NV Items -   Range  0x20 - 0x5F    - This allows for 10 bondings  
10. #define BLE_NVID_GAP_BOND_START         0x20  //!< Start of the GAP Bond Manager's NV IDs  
11. #define BLE_NVID_GAP_BOND_END           0x5f  //!< End of the GAP Bond Manager's NV IDs Range  
12.   
13. // GATT Configuration NV Items - Range  0x70 - 0x79 - This must match the number of Bonding entries  
14. #define BLE_NVID_GATT_CFG_START         0x70  //!< Start of the GATT Configuration NV IDs  
15. #define BLE_NVID_GATT_CFG_END           0x79  //!< End of the GATT Configuration NV IDs  
16. /** @} End BLE_NV_IDS */  

实际上上面的ID所在的区域，本来就不是我们该使用的，我们适合用的ID是在0x80~0xFE：

注：这张表要看OSAL API.pdf的第十一章的SNV，别看错到第十章的NV。

六、实验步骤

1、添加头文件（simpleBLEPeripheral.c）

[cpp] view plain copy

1. #include "osal_snv.h"  

2、按键处理代码中添加测试代码（simpleBLEPeripheral.c）

[cpp] view plain copy

1. static uint8 write_time = 0;    //擦写次数  
2. #define SNV_TEST_ID     0x80  
3. static void simpleBLEPeripheral_HandleKeys( uint8 shift, uint8 keys )  
4. {  
5.   VOID shift;  // Intentionally unreferenced parameter    
6.   uint8 data[252];  
7.   uint8 ret;  
8.     
9.   //UP 读SNV  
10.   if ( keys & HAL_KEY_SW_1 )  
11.   {  
12.     ret = osal_snv_read(SNV_TEST_ID, sizeof(data), data);  
13.   
14.     if(ret == NV_OPER_FAILED)  
15.     {  
16.         //未保存过，设置出厂数据  
17.         //osal_memset(data, 0x55, sizeof(data));  //作为发送缓冲区，写0x55  
18.           
19.         for(uint8 i = 0; i < 252; i++)  
20.         {  
21.           data[i] = i;  
22.         }  
23.   
24.         
25.         osal_snv_write(SNV_TEST_ID, sizeof(data), data);   
26.   
27.         osal_memset(data, 0, sizeof(data)); //清空缓冲区后，作为接收缓冲区         
28.         ret = osal_snv_read(SNV_TEST_ID, sizeof(data), data);  
29.     }   
30.   }  
31.   
32.   //DOWN 写SNV  
33.   if ( keys & HAL_KEY_SW_3 )  
34.   {  
35.     write_time++;  
36.     osal_memset(data, write_time, sizeof(data));  
37.     osal_snv_write(0x80, sizeof(data), data);  
38.   }       
39. }  

七、注意事项

暂无

八、实验结果

1、当写入252字节到SNV、并读出252字节SNV时，读写正常。

2、当写入253字节到SNV、并读出253字节SNV时，读写异常。

实验结果如上，一次性写入最多252字节，当需要写大于252字节时则需要分包，依次写到不同ID中。

因此，实验成功。