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2nm芯片制造工艺实现技术突破,华人科学家和微波炉立大功
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2023.09.28 浙江

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芯片,工业的智慧核心,缺了它,工业世界将陷入混乱。几十年来,人类一直奋发向前,突破着芯片工艺的极限,从几十微米到几十纳米,再到10纳米、7纳米、5纳米、3纳米,不停地挑战着科技的极限。

然而,伴随着工艺的提高,制造难度也与之增加。3纳米工艺虽已攻克,但2纳米工艺依然成为一道高耸的技术难关。然而,巨大的市场利润激发了企业和研究机构不断投入资金和精力,纵使2纳米工艺技术异常艰巨。

最近,康奈尔大学在芯片领域取得了一项突破性进展。他们利用一种独特的微波炉装置攻克了2纳米工艺的关键技术。在芯片制造过程中,硅必须掺杂高浓度的磷,以确保电流传输的准确性和稳定性。然而,2纳米芯片对硅中的平衡溶解度和磷浓度要求越来越高,传统的退火方法已经不再适用。

为了解决这一难题,康奈尔大学的科学家在台积电的支持下开展了微波退火研究。他们研发出一种特殊的微波装置,通过这一装置,成功克服了高浓度掺杂的基本挑战。这一突破性技术有望应用于即将面世的半导体材料和电子产品,将台积电和三星等芯片制造商的尺寸缩小到2纳米,巩固其在芯片制造领域的领导地位。

值得一提的是,这一项技术的主要发明人是James Hwang教授。他的名字或许不像传统的欧美名字,但他的成就却举世闻名。根据公开信息,James Hwang教授于1970年毕业于台湾国立大学,随后在美国康奈尔大学获得了材料科学硕士和博士学位。他的职业生涯涵盖了IBM、贝尔实验室、通用电气和GAIN等世界一流公司,以及多所知名大学的客座教授职位。这些经历彰显了台湾在芯片研究方面的卓越能力。

台湾一直以来都是全球芯片技术的重要推动力量。台积电之所以能成为全球最大的芯片制造厂商,与众多台湾科学家的支持密不可分。类似地,荷兰的ASML之所以成为全球顶尖的光刻机制造商,也依赖了台湾人才的贡献。正如过去在日本的尼康和佳能陷入技术困境时,台积电的工程师提出了侵润式光刻技术一样,台湾科学家一直以来都是科技领域的领军人物,不断攻克技术难题,推动着行业的发展。

这些例子告诉我们,华人在科学研究方面不亚于任何其他国家。特别是在芯片领域,台湾一直处于全球领先地位。只要提供良好的科研环境和支持政策,许多技术难题都能迎刃而解。虽然中国大陆在光刻机芯片制造等领域仍有差距,但只要创造有利于创新的环境,国内科学家必将不断攻克技术难题,迎接更加光明的未来。

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