美光科技(Micron)和英特尔今天在美国旧金山联合举办新闻发布会，发表双方共同研发的最新存储器技术： 3D XPoint存储器技术。
Intel非易失性存储器方案事业部资深副总裁和总经理Rob Crooke和Micron研发副总裁 Scott DeBoer作为发言人，共同介绍了全新的3D XPoint存储器技术，并回答了媒体的提问。
Rob Crooke说，过去存储器技术每隔几年或十来年，就会出现全新的存储器芯片技术，但是自从25年前NAND存储芯片问世后，已经有超过25年存储器技术没有革新。但同时的CPU技术，却迅猛发展，日新月异。
现代的Data呈爆炸式的增长，存储器芯片需要在容量、性能和非易失性上作出平衡。而由Intel和美光共同开发的3D XPoint存储器技术，则解决了很多的瓶颈。
Rob Crooke表示，3D XPoint存储器技术相比Nand要快1000倍，耐用性要长1000倍，存储密度上要比所有传统存储器技术高10倍以上。这么明显的优势，主要是靠新的3D工艺来实现的。
从下面这张图，我们可以了解一下什么是3D XPoint技术。
3D XPoint存储在材料上和结构上，都与传统的2D芯片工艺有着巨大的区别。据美光Scott DeBoer透露，它采用了20纳米的全新工艺，在功耗上也非常低，生产工厂位于犹他州。
3D XPoint存储器会在2016年开始发样片和量产。主要会先用在以下这些产品领域，包括数据中心和游戏等。
在被问到新的存储器是否会需要改变编辑模式时，Rob Crooke表示，编辑模式主要看客户将存储器用在什么产品，但编辑模式与现在的存储器技术不会有什么不同。
Rob Crooke说，两家公司从2005年开始合作研发新的存储器技术，3D XPoint存储项目是从2012年开始。到2016年正式量产并可用于终端设备上。目前不会采用单独的品牌去推广这个技术和产品。
3D XPoint存储器技术是近25年以来内存芯片的一个全新突破性的技术，它既会为众多电子设备带来更快更好的体验，笔者认为它也一定会改变现有的存储器市场格局，包括下游存储器的多层多芯片的封装。
英特尔和美光科技推出突破性存储技术
新型存储器可充分释放个人电脑、数据中心及其他设备的强大性能
加利福尼亚州圣克拉拉和爱达荷州博伊西，2015年7月28日——英特尔公司和美光科技有限公司今天推出了一种名为3D XPoint的非易失性存储器技术，该技术有潜力对那些得益于快速访问大量数据的任何设备、应用或服务实现革新。现已投入生产的3D XPoint技术是存储器工艺技术的一项重大突破，也是自1989 年NAND闪存推出至今的首款基于全新技术的非易失性存储器。
互联设备和数字服务的爆炸式增长产生了大量的新数据。为了让这些数据变得更有价值，必须对这些数据进行非常快速地存储和分析，而这也为设计内存和存储解决方案时必须权衡成本、功耗和性能的服务提供商和系统制造商带来了挑战。3D XPoint技术集当今市场中所有存储器技术在性能、密度、功耗、非易失性和成本方面的优势于一体。与NAND相比，这项技术在速度及耐用性方面均实现了高达1000倍的提升3。此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储密度也提升高达10倍。
“数十年来，业界一直在寻找各种方法来降低处理器和数据之间的延迟，以加快分析速度，”英特尔公司资深副总裁兼非易失性存储器（NVM）解决方案事业部总经理Rob Crooke表示：“这种新型的非易失性存储器将实现这一目标，并为内存和存储解决方案带来颠覆性的性能。”
“处理器访问长期存储的数据所需的时间成为现代计算中最显著的障碍之一，”美光科技有限公司总裁Mark Adams表示：“作为一种革命性技术，这种新型的非易失性存储器能够支持海量数据集的快速访问并实现全新的应用。”
数字世界的成长速度十分惊人。预计到2020年，数字化的数据将由2013 年的4.4 ZB增长至44 ZB4。3D XPoint技术可在几纳秒内将这些海量数据转变为有价值的信息。例如，零售商可以使用3D XPoint技术更快地识别出金融交易中的欺诈检测模式；医疗研究人员能够实时处理和分析更大的数据集，从而加快基因分析和疾病跟踪等复杂任务。
3D XPoint技术的性能优势还可以改善个人计算的体验，让消费者享受到更快速的社交媒体互动和协作，并获得更逼真的游戏体验。由于这一技术具备非易失性，可使应用这一技术的设备在断电时数据不会丢失。因此，该技术也成为各种低延迟存储应用的理想之选。
新方案，面向突破性存储技术的架构
3D XPoint技术诞生于十多年间的研究与开发。该技术能够以较低成本满足用户在非易失性、高性能、高耐用性和高容量方面对存储与内存的需求。它开创了一种可显著降低延迟的新型非易失性存储器，使得在靠近处理器的位置存储更多数据成为可能，并以此前的非易失性存储无法达到的速度来访问更多数据。
基于更少晶体管数量构建的创新型交叉点架构建立了一个存储单元位于字线和位线交叉点的“三维棋盘”，以支持对单个存储单元的独立访问。基于这个架构的存储器，数据可以作为更小的片段进行写入和读取，从而实现更快速、更高效的读取/写入操作。
关于3D XPoint技术的更多详细信息包括：
· 交叉点阵列结构——垂直导线连接着1280亿个密集排列的存储单元。每个存储单元存储一位数据。借助这种紧凑的结构可获得高性能和高密度位。
· 可堆叠——除了紧凑的交叉点阵列结构之外，存储单元还被堆叠到多个层中。目前，现有的技术可使集成两个存储层的单个芯片存储128Gb数据。未来，通过改进光刻技术、增加存储层的数量，系统容量能够获得进一步提高。
· 选择器——存储单元通过改变发送至每个选择器的电压实现访问和写入或读取。这不仅消除了对晶体管的需求，也在提高存储容量的同时降低了成本。
· 快速切换单元——凭借小尺寸存储单元、快速切换选择器、低延迟交叉点阵列和快速写入算法，存储单元能够以高于目前所有非易失性存储技术的速度切换其状态。
3D XPoint技术将于今年晚些时候给选定的用户提供样品，而英特尔与美光也正在各自开发基于这一技术的产品。
趣味知识：3D XPoint 技术到底有多快、功能有多强大？
2015 年 7 月 28 日——要明确了解技术的众多速度和规格信息可能会让人不知所措，尤其是存储器技术。3D XPoint技术为一些高性能应用提供了许多潜在的优势。下面的示例取自于我们的日常生活，用更抽象化的方式来帮助我们具体地了解该项技术的优势。
3D XPoint 技术的性能
· 与 NAND 相比，3D XPoint技术的速度提升高达 1000 倍。
· 美国人平均每天通勤时间将从 25 分钟缩短至 1.5 秒。
· 从旧金山到北京的飞行时间将从目前的 12 个小时缩短至大约 43 秒。
· 中国长城完成建造的时间将从 200 年缩短为 73 天。
· HDD 延迟以毫秒计，NAND 延迟以微秒计，而 3D XPoint技术延迟则以纳秒（十亿分之一秒）计。
· 相同的一段时间里，HDD 能跑完整个篮球场，NAND 能完成一个马拉松，而 3D XPoint技术几乎能绕地球一周。
· 如果将计算机存储比作旅行模式，这就相当于：
· HDD 可以驱车 4 天将你从纽约带到洛杉矶（4023 千米）。
· SSD 可以在同等时间内将你带到月球（386243 千米）。
· 3D XPoint技术则可以在同等时间内带你往返一次火星（4.5 亿千米）。
3D XPoint 技术的耐用性
· 与 NAND 相比，3D XPoint技术的耐用性提升高达 1000 倍。
· 如果将 3D XPoint技术比作你的汽车机油，那么你需要更换机油的周期将大大降低：假设每跑 4800000 千米更换一次，这相当于绕地球赤道 120 圈，或几乎绕太阳一周。
· 如果你汽车的汽油里程数高出 1000 倍，那么平均每 25 年才需要加一次油。
· 消费级固态硬盘每天可写入 40GB 字节，这相当于连续 5 年里每天往一个驱动器里写入 8.6 本《大英百科全书》 ，或 10000 个 MP3 文件 。
· 固态硬盘提升高达 1000 倍的耐用性后，意味着每天可写入美国国会图书馆里所有的印刷收藏 (20TB ) 两次。5 年后，这相当于 14.6 亿个装满文件的标准四屉文件柜或者 73PB 字节。
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