当地时间8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布公告，称出于国家安全考虑，将四项“新兴和基础技术”纳入新的出口管制。这四项技术分别是：能承受高温高电压的第四代半导体材料氧化镓和金刚石；专门用于3nm及以下芯片设计的ECAD软件；可用于火箭和高超音速系统的压力增益燃烧技术。
氧化镓：
600208新湖中宝：公司持有杭州富加镓公司22％股权，富加镓业依托于中科所，专注研究新型半导体材料﹣﹣氧化镓（ Ga2O3 ）前基于氧化镓的晶体制备及其功率器件开发已取得一定进展。氧化镓（Ga2O3）是继碳化硅（ SiC ）和氮化镓（ GaN ）之后的新型宽禁带半导体材料，制备成本低，具有独特的物理特性优势，未来有望在高压高功率器件及射频器件市场与碳化硅、氮化镓形成互补，抢占一定的市场份额。
601179中国西电：西电电力系统与陕西西安电子科大资产经营有限公司、西安高新产业投资有限公司和自然人共同出资设立陕西半导体先导技术中心有限公司。陕西半导体氧化镓研究。
300762上海瀚讯：公司股东中国科学院上海微系统与信息技术研究所超宽禁带半导体氧化镓异质集成技术研究。
601012隆基绿能：与连城数控（835368)合作碳化硅及氧化镓等晶体的生长。
300487蓝晓科技：提取金属镓的龙头企业。
300346南大光电：南京大学有氧化镓双极型异质结功率器件研究。
603045福达合金：金属镓销售。
601600中国铝业：金属镓。
S三安光电(sh600703）S ：湖南三安半导体有氧化镓材料。
S湖南黄金(sz002155）S ：金属镓，金属锑。
金刚石：
600172黄河旋风：金刚石工具。
300554三超新材：金刚石工具。
002943宇晶股份：碳化硅等高精端产业的硬脆材料切割。
603595东尼电子：硬脆材料切割。
300700岱勒新材：脆材料切割。
688028沃尔德：超硬材料切割。
002132恒星科技：超硬材料切割。
002046国机精エ：超硬材料磨具。
ECAD 软件：
华大九天(sz301269） ： EDA 软件
688206概伦电子： EDA 软件
688083中望软件：国内领先的工业软件供应商，国内 CAD 软件龙头，公司有 ECAD 模块。
301095广立微： EDA 软件
如果你也觉得逻辑不错，请及时加关注！可优先查看受限文章！
点赞加关注，资讯不迷路！
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
文章分割点，喜欢学习的同学往下看
附：知识点，半导体材料的代际之分
1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）的元素半导体材料。第一代半导体材料，尤其是硅，在半导体器件的发展和应用中牢牢占据着统治地位，是大规模集成电路、模拟IC、传感器等器件的材料基础，硅的加工技术是摩尔定律得以实现的基石。硅基芯片在电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，致使产业外的很多人一提到半导体以为指的就是硅。
2.第二代半导体材料主要是指砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等的化合物半导体材料，此外还包含三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP，还有一些固溶体半导体如Ge-Si、GaAs-GaP，玻璃半导体（又称非晶态半导体）如非晶硅、玻璃态氧化物半导体，有机半导体如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
3.第三代半导体材料是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他四个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
4.第四代半导体材料主要是以金刚石（C）、氧化镓（GaO）、氮化铝（AlN）为代表的超宽禁带（UWBG）半导体材料，禁带宽度超过4eV，以及以锑化物（GaSb、InSb）为代表的超窄禁带（UNBG）半导体材料。在应用方面，超宽禁带材料会与第三代材料有交叠，主要在功率器件领域有更突出的特性优势；而超窄禁带材料，由于易激发、迁移率高，主要用于探测器、激光器等器件的应用。需要强调的是，实际上四个代际的半导体材料并不是后面的要取代前面，而是对硅材料形成了重要补充。
然而，需要注意的是，这四代半导体之间并不是迭代关系，它们的应用场景有交叉，但不完全重合。
随着量子信息、人工智能等高新技术的发展，半导体新体系及其微电子等多功能器件技术也在更新迭代。虽然前三代半导体技术持续发展，但也已经逐渐呈现出无法满足新需求的问题，特别是难以同时满足高性能、低成本的要求。
相比其他半导体材料，第四代半导体材料拥有体积更小、能耗更低、功能更强等优势，可以在苛刻的环境条件下能够更好地运用在光电器件、电力电子器件中。
目前具有发展潜力成为第四代半导体技术的主要材料体系主要包括：窄带隙的锑化镓、铟化砷化合物半导体；超宽带隙的氧化物材料；其他各类低维材料如碳基纳米材料、二维原子晶体材料等。
氧化镓材料的特性
作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓(Ga2O3)由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。
氧化镓是金属镓的氧化物，同时也是一种半导体化合物。其结晶形态截至目前已确认有α、β、γ、δ、ε五种，其中，β相最稳定。β-Ga2O3的禁带宽度为4.8～4.9eV，击穿场强高达8MV/cm。
半导体材料特性
氧化镓在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。
目前第三代半导体的火爆，就是因为新的材料体系可以在高压、大功率情况下采用单极器件，即使用SiC MOSFET、GaN HEMT、Ga2O3 FET，取代硅基的IGBT，除了产品可靠性、电流能力、成本下降空间尚需要一定时间验证外，几乎全面实现了前面所提到功率器件发展的所有诉求。而大规模制造和应用会带来成本和售价的降低，从而继续巩固市场主流技术地位，这也是超/宽禁带半导体应用的前景。
而Ga2O3既能做高耐压，也可实现大电流能力，相较于当前SiC器件过流能力不超过200A的规格限制，可达到数百A甚至上千A，性能优秀且成本更低，在大功率应用(如电力)当中可直面挑战IGBT上千甚至数千A的霸主地位。
我国其实开展氧化镓研究已经十余年，但是直到近年来46所的技术突破才实现了距离产业化“一步之遥”，从公开资料能了解到目前从事GaO材料和器件研究的单位和企业，主要是中电科46所、西安电子科技大学、上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京大学等高校及科研院所，科技成果转化的公司有北京铭镓半导体有限公司、杭州富加镓业。国内团队未见关于GaO MOS的报道。
铭镓半导体：成立于2020年11月，是国内率先专注于第四代半导体氧化镓材料及其功率器件产业化的高新企业，主营产品包括氧化镓衬底单晶、氧化镓外延片和高频大功率器件，铭镓半导体之所以成为行业先行者，是因为该公司是国内唯一一个率先实现国产工业级氧化镓半导体晶片小批量供货的中国厂家。据悉，该公司建立了一支强劲的博士人员研发团队，大部分的核心成员们都是产业技术人才，具备了10年以上半导体领域从业经验。两年不到时间里，铭镓半导体已经具备专利17项（含申请中），其中实用新型有3项，发明专利有14项。龙头，可惜无对应的参股上市公司
富加镓业：成立于2019年12月，注册资金500万，是由中国科学院上海光学精密机械研究所与杭州市富阳区政府共建的“硬科技”产业化平台——杭州光机所孵化的科技型企业。新湖中宝持股富加镓业22%，
富加镓业专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有中科院博士、剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自中国科学院、美英海归等业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到80%；公司厂房面积八千余平米，拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备，为公司的发展提供了基础支撑和持续创新动力硬件保证。富加镓业最初技术来源于中科院上海光机所技术研发团队，该团队是我国最早从事氧化镓晶体生长的团队，从04年开始即开展研究。富加镓业专业从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作，形成了较鲜明的特色和优势。我们注重知识产权保护和氧化镓相关基础探索研究工作，在全球范围内对氧化镓晶体材料生长及上下游应用领域的专利进行布局，申请进入欧盟、美国、日本、韩国、新加坡等国家。团队的氧化镓晶体材料及器件基础研究成果，多篇科研论文已发表在国际顶级学术期刊上，与全球科研工作者共享最新研究成果，共同推动全球第四代半导体相关行业的发展。富加镓业专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有中科院博士、剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自中国科学院、美英海归等业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到80%；公司厂房面积八千余平米，拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备，为公司的发展提供了基础支撑和持续创新动力硬件保证.氧化镓单晶材料，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。典型的应用领域包括：电动汽车、光伏逆变器、高铁输电、军用电磁轨道炮、电磁弹射、全电舰艇推进等；除此之外，氧化镓由于低成本及与GaN的低失配的特性，还可用于GaN材料的外延衬底，GaN及HEMT具有功率密度高、体积小，可工作在40GHz等优点，是5G基站攻略放大器的首选材料，随着5G行业的迅速发展，也将带动氧化镓单晶衬底产业的迅速发展。
富加镓业团队是我国最早从事氧化镓晶体生长的团队。富加镓业专业从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作，形成了较鲜明的特色和优势。我们注重知识产权保护和氧化镓相关基础探索研究工作，在全球范围内对氧化镓晶体材料生长及上下游应用领域的专利进行布局，申请进入欧盟、美国、日本、韩国、新加坡等国家。团队的氧化镓晶体材料及器件基础研究成果，多篇科研论文已发表在国际顶级学术期刊上，与全球科研工作者共享最新研究成果，共同推动全球第四代半导体相关行业的发展。
联系客服
