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这是集成电路物理设计的第九个系列【EDA】的第一篇文章,本篇文章主要介绍QRC spef提取相关内容:
01
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QRC cmd
qrc_shell>metal_fill -type floating | grounded
floating: 当将metal fill的type设置为floating模式时,Quantus将metal fill建模为floating模式进行参数提取。floating模式表示这些dummy metal都是独立的一段金属shape,没有任何电学连接关系,这会减少总的net capacitance数值,但coupling capacitance会增加。(floating是default模式)
grounded: 当将metal fill的type设置为grounded模式时,Quantus将metal fill建模为grounded模式进行参数提取。grounded模式表示将dummy metal识别为gray data,这不需要多余的model对该模式下的metal RC提取。
02
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Floating vs No Dummy metal
相比于没有dummy metal的spef文件,floating dummy metal的spef文件的总电容增加,耦合电容减小。
03
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Grounded vs No Dummy metal
相比于没有dummy metal的spef文件,grounded dummy metal的spef文件的总电容增加,耦合电容减小。
04
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Floating vs Grounded
相比于floating dummy metal的spef文件,grounded dummy metal的spef文件的总电容增加,耦合电容减小。
05
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理论分析
如下图所示,如果没有DM2 (dummy metal2):
M2a与M2b之间的耦合电容为Cc1=k*A/S
CT1=Cc1+Cg
如下图所示,如果在M2a和M2b之间插入DM2 (floating):
M2a与M2b之间的耦合电容为Cc2 = Ccl+Ccr+Cca+Ccb > Cc1
(Cca+Ccb = CcaCcb/(Cca+Ccb) = k*A/(S-W) > k*A/S)
CT2 = Cc2+Cg0 > CT1
如下图所示,如果在M2a和M2b之间插入DM2 (grounded):
M2a与M2b之间的耦合电容为Cc3 = Ccl+Ccr = k*A/(S-W) < Cc1 < Cc2
M2a的对地电容为Cga > (Cga+Cgb)
CT3 = Ccc3+Cg0+Cga > CT2 > CT1
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SPEF结果分析
从spef结果分析可知:对于耦合电容来说,如果dummmy metal floating,则net上耦合电容的节点一般在net中间某一个位置;如果没有dummy metal或者dummy metal grounde,则net上耦合电容的节点一般位于net的两端位置。
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参考文献
Quantus User Guide
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