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这是集成电路物理设计的第四个系列【Power】的第九篇文章,本篇文章主要介绍CNOD Power相关内容:
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什么是CNOD Power?
CNOD Power:在先进工艺下(如N5),cell与cell abut在一起时,会在abut的位置寄生产生MOS,寄生PMOS的gate端连接VDD,寄生NMOS的gate端连接VSS,寄生MOS管产生的leakage power即为CNOD Power。
02
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Context Aware CNOD Leakage
CNOD Leakage与cell VT和cell edge property有关系
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如何计算CNOD Power?
Total Leakage = Cell_Leakage + Boundary_Gate_Leakage
PrimeTime-PX工具在计算CNOD Power时需要:a, DEF/LEF File; b, Sile_files (Cell Edge Info, Leakage Table, Leakage Configuration)
CNOD Leakage Calculation example:
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如何优化CNOD Power?
Higher VT Filler有更小的COND Leakage
Filler Insertion Priority: SVTLL > SVT > LVTLL > LVT > ULVTLL > ULVT> ELVT
Higher VT DCAP有更小的CNOD Leakage
DCAP的边界为SOURCE,可以降低或消除CNOD Leakage。
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PT-PX CNOD Leakage Power Flow
Input: the placement DEF for APR with DCAP/FILLER inserted
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参考文献
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