ESD Note

最近大致看了下静电保护（ESD – Electro-Static Discharge）相关的内容，这里简单小结下，要是以后要深入的话，就打算把下面的几本ESD的书再仔细研读一下：

‘ Basic ESD and I/O Design ‘ by Sanjay Dabral, Timothy maloney

‘ ESD in Silicon Integrated Circuits ‘ by Ajith Amerasekera, Charvaka Duvvury

‘ On-Chip ESD Protection for Integrated Circuits: An IC Design Perspective ‘ by Albert Z.H.Wang

另外，在台湾交通大学的这个网站亦有提供关于ESD静电防护的很好的学习资料

关于ESD

ESD是一种瞬间静电泄放现象，典型的持续时间为~150ns。它所引起的大电流（可至几十安培）和高电压（可达几万伏）的瞬态会导致IC芯片的损坏。

ESD机制/模型

1.Human-body model (HBM)

带电人体接触芯片（的静电泄放）模型

此模型中，串联RC（100 pF电容和1.5K ohm电阻）,也有文献中另外串联上电感（为7.5uH）

ESD峰值电流约为1.3A，上升时间10~30ns

HBM是接受最广的ESD模型

2.Machine model (MM)

带电仪器接触IC时的静电泄放模型，等效的ESD模型与上图类似；串联RC（200 pF电容和小于1 ohm电阻），也有串联小于2.5uH的电感；峰值电流约为3.7A，上升时间15~30ns

3.Charged-device model (CDM)

CDM 为在IC制造过程中芯片自身积累的静电泄放事件的ESD模型

具体，其峰值电流大小约为10A，上升时间约为1ns

CDM模型考虑的主要是栅氧的击穿问题（之前的HBM和MM模型则主要是热失效的问题）

4. 其他 ESD model:

IEC model: international electro-technical commission model

TLP model: transmission line pulse: 主要是利用传输线加上稳定的方波以便于测试