Sim for new lib

一般在电路设计时，对MOSFET的Vov的选取通常以150mV~200mV和500mV为分界点（具体可以参见Willy.Sansen的‘Analog Design Essential’一书中相关的分析），当然也可通过gm/id曲线来寻找合适的Vov电压（关于gm/id的设计方法的具体介绍可参见Stanford 的EE 214课程文档的说明），我个人通常以Gm/Id*ft曲线的峰值对应的Vov作为一般设计中迭代优化的初始点。

关于Gm/Id系列曲线的具体仿真电路，考虑其与之前介绍过的MOS管本征增益和特征频率的仿真方法相类似，基本上也是直流扫描的方法来实现的

具体的仿真电路和对应的仿真脚本如下：

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***Smartspice 仿真脚本***

.dc v1 0.3 1.5 0.01

.let vov_n=@Mn[Vgs]-@Mn[Vth]

.let ft_n=1/2/3.14*@Mn[gm]/@Mn[cgtot]

.let gm_id_n=@Mn[gm]/@Mn[id]

.let gm_id_ft_n='gm_id_n*ft_n'

可以得到如下图相应的gm/id 和 gm/id * ft 的曲线：

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