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Sim for new lib
mzsm
>《电子》
2014.10.13
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一般在电路设计时,对MOSFET的Vov的选取通常以150mV~200mV和500mV为分界点(具体可以参见
Willy.Sansen的‘Analog Design Essential’
一书中相关的分析),当然也可通过gm/id曲线来寻找合适的Vov电压(关于gm/id的设计方法的具体介绍可参见
Stanford 的EE 214课程文档
的说明),我个人通常以Gm/Id*ft曲线的峰值对应的Vov作为一般设计中迭代优化的初始点。
关于Gm/Id系列曲线的具体仿真电路,考虑其与之前介绍过的
MOS管本征增益和特征频率
的仿真方法相类似,基本上也是直流扫描的方法来实现的
具体的仿真电路和对应的仿真脚本如下:
1
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***Smartspice 仿真脚本***
.dc v1 0.3 1.5 0.01
.let vov_n=@Mn[Vgs]-@Mn[Vth]
.let ft_n=1/2/3.14*@Mn[gm]/@Mn[cgtot]
.let gm_id_n=@Mn[gm]/@Mn[id]
.let gm_id_ft_n='gm_id_n*ft_n'
可以得到如下图相应的gm/id 和 gm/id * ft 的曲线:
0
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