FD SOI：是否会扭转FinFET的强势?

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  SOI(绝缘体上硅)技术已存在多年。在RF等领域, RF SOI发挥了重要的作用。FD SOI(全耗尽型SOI)最近开始重新进入业界关注的焦点，背后的原因错综复杂，但主要可以归结为以下3点：

1.Intel、TSMC等企业已决定在22、14nm节点走向FinFET之路；而作为FD SOI技术的主要支持者，如IBM、STMicroelectronics、GlobalFoundries等，认为在先进节点上FD SOI将更具备竞争优势。

2.FD SOI在低功耗、高性能、平面工艺可延续性方面的优势是其博弈市场的杀手锏。

3.FinFET投资巨大，而且如果FinFET遭遇产能和良率问题，中、小规模Fabless在未来的先进节点上是否会面临有米无法下炊的局面？

“SOI技术高峰论坛”于2013年10月中旬在上海举办，重点讨论了FD SOI的现状和前景。中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长、中国科学院院士、本次会议的联席主席王曦主持了论坛。

FD SOI的核心：满足智能手持设备的需求

FD SOI支持者们经常问的一个问题是：在不久的将来，什么工艺技术可以更好地满足诸如智能手机、平板电脑等超大市场规模智能手持设备应用的持续发展？这些应用呈现的趋势是价格下降、功耗下降而性能不断提高，相应地对内部使用的集成电路，尤其是超高集成度的IC，提出了相同的要求。按照IBS主席和CEO Handel Jones在“SOI技术高峰论坛”上的阐述，几年前推出的FD SOI当时被忽略而现在开始被重视的主要原因就在于此：能更好的为智能手机等应用提供可持续性的技术支持。他认为Intel16/14nm FinFET 与20nm体硅CMOS相比看不出明显面积降低。“该节点技术是否能成为主流技术可能会受到中国用户的影响，”在他分析完中国已成为移动电话、电脑、电视、数字相机的主要生产国后表示，“同时，未来的7nm和10nm技术可能更多地应用于高性能服务器等领域，而对于移动电话应用，FinFET不一定是28nm或者20nm 以下唯一的解决方案，更不一定是最好的解决方案。”

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