世界首款5纳米工艺芯片诞生，谁这么不给英特尔面子？

根据国外科技网站 CNET 的报导，三星当前已经联合了IBM、Globalfoundries，研发出全球首款 5 纳米工艺的芯片。相较英特尔还在坚守 14 纳米工艺，在三星与 IBM 研发 出 5 纳米工艺的芯片后，中间相隔着 10 纳米和 7 纳米世代工艺，可说半导体芯片龙头这下已经被狂甩了 3 个世代。

报导指出，日前IBM旗下研究院携手GlobalFoundries、三星在京都举办的2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits活动揭晓首款5纳米工艺芯片，其中将300亿组晶体管放进指甲般大小的芯片内，相比两年前以7纳米工艺技术在相同面积大小的芯片中放进200亿组晶体管，明显有相当显著的技术成长。

这是什么概念呢？当前 10纳米 的骁龙 835 仅仅集成的晶体管数量约为 30 亿。三星联合 IBM 宣布此项技术名为 nanosheets，受惠于该技术的突破，芯片制造商能够将更多的电晶体容纳到更小的芯片组里。

此项芯片技术依然是基于FinFET设计，相比目前市场主流采用的10纳米工艺技术，5纳米工艺设计约可提升40%的运算效能，同时降低高达75%的电力损耗，对于处理器而言将能以更少电力损耗达成原本运算效能，甚至在相同电力损耗下发挥更大运算能力，同时可用于更小的硬设备设计。

IBM预期5纳米工艺技术的处理器产品陆续问世后，现有设备如手机的电池寿命将提高 2 至 3 倍。早在 2015 年，IBM 就携手 Global Foundries 和三星试产了一款 7纳米 晶元。5纳米芯片将采用与7纳米芯片相同的紫外线光刻技术。不过与现有技术相比，新一代工艺的光波能量将高出许多，同时还支持在制造过程中持续调节芯片的功耗和性能。

如今，在三星、台积电都已经在芯片生产上快入 10 纳米世代的时候，英特尔还在坚持着 14 纳米工艺。尽管，英特尔宣称他的 14 纳米工艺要比竞争对手的 10 纳米工艺还要优秀。但不可否认的是，在工艺技术上，英特尔确实已经开始落后。如今，在制成技术的进步步伐上，三星更是跨过了下一代 7 纳米工艺世代，携手 IBM 推出了全球首款 5 纳米工艺的芯片。

由于更先进制造技术，就意味着能在更小的芯片上整合更多的晶体管，使芯片发挥更高的效能。IBM 的高层表示，由于 nanosheets 技术的 5 纳米芯片开发成功，未来将在更小的体积上提供更优的能耗表现。因此，在其他竞争对手纷纷有了新一步的工艺计划下，英特尔在半导体上的龙头位置是否还能保持，就趋势发展来看恐怕不太乐观。

不过鉴于10纳米工艺也才刚刚投入商用不久，7纳米芯片则要等到2019年，5纳米工艺仍然需要漫长的等待。

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