三星840 EVO写入性能暴涨的秘密

840 EVO是三星面向入门级市场的新款固态硬盘，除了改用新的主控和闪存，低容量型号的写入速度也得到了极大的提升，120GB的持续写入从可怜的130MB/s来到足够高的410MB/s。

同样是TLC NAND闪存颗粒，提升的秘密在哪里呢？据三星介绍，840 EVO系列加入了一个高性能缓冲“TurboWrite”，可以在空闲的时候将其中的数据传给硬盘。

SLC、MLC、TLC分别是单层、双层和三层闪存单元，TLC的写入是最耗时的，所以三星就加了这么个缓冲，本质还是TLC，但工作在SLC模式下。这就相当于把TLC当作SLC来用，性能自然可以大大提高，但仅仅是外部与缓冲器之间而已，缓冲器与硬盘之间还是老样子。

TurboWrite缓冲器的容量依型号而不同，比如1TB里划分出来了36GB，但是按照TLC、SLC的对应关系，实际能缓冲的数据量最多为12GB。

当然，1TB型号的写入性能本来就不错，这个缓冲的影响并不大，关键在低容量型号上。120/250GB里都划出来了9GB TLC，等同于3GB SLC。

从理论上讲，如果这3GB的缓冲区写满了，继续写入的话性能就会跌到普通水平，但这个要到实际测试中才能验证了。

再来说说主控，830系列是第三代MCX，840/840 Pro系列是第四代MDX，现在到了第五代MEX，内部仍是三个ARM Cortex-R架构处理器核心，但是运行频率从300MHz提升到400MHz。正是这一变化，再加上固件的优化，带动了低队列深度随机写入性能的提升，从7900来到10000 IOPS。

840 EVO系列还引入了一个新的特性“动态散热保护”(Dynamic Thermal Guard)，可让固态硬盘工作在额定温度范围之外，比如说超过70℃。

看上去有点像Intel/AMD处理器、NVIDIA显卡的动态加速功能，允许短时间高温操作，然后自动降温以保护数据和硬盘，但具体细节还没有公布。

后续是为了应对笔记本中经常超过80℃情况。