东京大学利用印刷技术制造RFID标签用CMOS电路和温度传感器

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东京大学和大阪府立产业技术综合研究所等组成的研究小组于2015年1月26日宣布，利用印刷技术制作CMOS电路和温度传感器，并将其连接到13.56MHz用天线上，由此可以成功地发送温度数据。此次成果是利用载流子迁移率为16.2cm²/V_s的单晶有机半导体实现的，这一数值比传统的有机材料高出10倍以上。由于不需要真空工艺，因此制造成本可降至原来的十分之一以下。

此次开发的系统

形成CMOS电路时，利用了该研究小组开发的“涂布结晶化法”。涂布结晶化法的具体步骤是制作出掺有p型或n型单晶有机半导体材料以及粘度较大的高分子的混合溶液，然后将混合溶液涂布在基板上。溶液蒸干时，下面形成高分子层、上面形成单晶有机材料层。将p型线和n型线间隔一定距离交替布设，在其上面绘制电极、连接布线，由此便形成了半导体元件。数字电路方面，形成了实现存储器所需要的D-触发器（Flip-Flop）电路以及发送数据所需要的4bit移位寄存器。

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