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“CMOS晶体管的微细化应该可以撑到2020年左右,但能否坚持到2030年还不好说。从中长期来看,采用新工作原理必不可少”,担任日本电子信息技术产业协会(JEITA)半导体技术发展蓝图专业委员等职务的东京大学生产技术研究所教授平本俊郎这样说道。
CMOS的工作速度与能耗的趋势(平本的资料) |
平本教授在2015年1月30日于东京都内举办的研讨会(SPI论坛“三维工艺的壁垒与解决方案”,主办:Semiconductor Portal)上登台发言,介绍了尖端CMOS技术的发展趋势(参阅本站报道)。
平本教授首先表示,通过CMOS晶体管的微细化来改善其工作速度和能耗的做法在进入2000年代后出现了饱和趋势。国际半导体技术发展路线图(ITRS)甚至预测,今后,CMOS晶体管的通态电流将从过去的增加趋势转为减少趋势。因为栅长极短,“TCAD仿真显示,(在源极与漏极之间)将会显露出直接隧穿成分”。
点击“阅读原文”,看看CMOS展望:2030年到来之前须采用新的工作原理!
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