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日本东京工业大学像信息工学研究所副教授菅原聪、特聘助教周藤悠介和特聘助教山本修一郎等的研究小组,开发出了由“非易失性SRAM”构成的缓存电路,“非易失性SRAM”是将非易失性存储器上使用的强磁性隧道结元件(MTJ)附加在SRAM上制成的。使用上述缓存电路,比较了常闭工作和利用非易失性的细粒度电源门控工作,发现后者的能耗性能更优异。
非易失性SRAM的电路结构 |
这是日本东京工业大学与神奈川科学技术学会(KAST)共同的研究成果。详细内容已在2015年3月9日~13日于法国格勒诺布尔召开的国际学会“2015 Design, Automation and Test in Europe(DATE 2015)”上公布。
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