东工大用SRAM＋MTJ证实：“非易失性在电源门控上功效更高”

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日本东京工业大学像信息工学研究所副教授菅原聪、特聘助教周藤悠介和特聘助教山本修一郎等的研究小组，开发出了由“非易失性SRAM”构成的缓存电路，“非易失性SRAM”是将非易失性存储器上使用的强磁性隧道结元件（MTJ）附加在SRAM上制成的。使用上述缓存电路，比较了常闭工作和利用非易失性的细粒度电源门控工作，发现后者的能耗性能更优异。

非易失性SRAM的电路结构

这是日本东京工业大学与神奈川科学技术学会（KAST）共同的研究成果。详细内容已在2015年3月9日～13日于法国格勒诺布尔召开的国际学会“2015 Design, Automation and Test in Europe（DATE 2015）”上公布。

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