SSD 和内存专家Silicon Power的 Anthony Spence回答了这个问题。
闪存单元是 NAND 闪存的基本组成部分。数据以位的形式存储在单元中，这些位表示单元中包含的电荷，可以通过电荷轻松地打开和关闭。向单元添加位会增加单元可以具有的状态数量，从而成倍地增加其容量。
此外，一个单元包含的位数是对 NAND 闪存进行分类的主要方法之一：
单级单元 (SLC)：它们每个单元只能存储一位，最多可占用两级电荷。SLC NAND 提供最高的性能、可靠性和耐用性（高达 100K P/E（编程/擦除）周期）。但是，内存密度是所有变体中最低的，每 GB 的价格也远高于其他类型。SLC 仅提供 2D 格式，主要用于企业设置。
多级单元 (MLC)： MLC 每个单元最多占用 2 位和四级电荷。MLC 提供 2D 和 3D 两种版本，以比 SLC 更便宜的价格提供良好的性能、可靠性和耐用性。3D NAND 变体可以达到 30K 范围内的 P/E 周期。
三级单元 (TLC)：TLC 每个单元存储 3 位，最多可存储八级电荷。TLC 常用于消费级产品，其性能、可靠性和耐用性均低于前两者。然而，更便宜的价格和更高的内存密度弥补了性能的下降。3D 变体可以达到高达 3K P/E 周期。
四级单元 (QLC)：与 TLC 类似，QLC 也常见于消费级产品中。QLC 每个单元存储 4 位，最多可占用 16 级电荷。在列出的 4 个变体中，它具有最高的内存密度和最便宜的价格。然而，较低的价格是以性能、可靠性和耐用性（高达 1K P/E）为代价的。
五级单元 (PLC)：PLC于 2019 年发布，被誉为固态存储技术的合乎逻辑的下一步。凭借每个单元存储 5 位和高达 32 (2^5) 级的能力，PLC 有望击倒 HDD 的最后一道防线，即以可承受的价格提供高存储容量。PLC 将简化大容量低成本 SSD 的生产；然而，QLC 在耐力、速度和可靠性方面的缺陷仍然存在。
