【日经BP社报道】英特尔和美光科技2015年7月28日宣布，开发出了“3D XPoint technology”，英特尔称之为“自1989年采用NAND闪存以来，时隔25年多取得的新突破”。两公司利用该技术开发出了在NAND闪存中比较普遍的容量为128Gbit的芯片。预计主要用于填补DRAM与NAND闪存间性能空白的“存储级内存”（Storage-Class Memory）。
发布资料中介绍称，3D XPoint是一种非易失性存储器，但没有公开信息记录原理。采用使字线与位线以三维形状组合的交叉点构造，在导线的交点配置选择器和存储单元。这种构造与被动式显示器一样，无需晶体管即可对各存储单元进行读取和写入。
性能方面，两公司强调，在某些方面达到了NAND闪存的1000倍。具体来说，速度为NAND闪存的1000倍，擦写次数也是NAND闪存的1000倍。存储单元的高密度化为现有技术的10倍以上。
或为相变型非易失性存储器 发布资料中没有明确说明“速度”具体指什么。如果是写入时的访问时间，由于NAND闪存的速度在存储技术中是非常慢的，因此，即便是其1000倍，也不会超过DRAM和NAND闪存以外的现有的非易失性存储器技术。
另外，NAND闪存的擦写次数约为10
5～6次，在各种存储技术中是最少的。如果新产品达到其1000倍的10
8～9，则可靠性会大幅提高。不过，作为非易失性存储器技术，这一性能称不上特别出色。
上述各项性能值及交叉点构造与现有非易失性存储器中名为“相变型存储器”（PCRAM，或PCM）的非易失性存储器最为接近。IBM等也在推进采用交叉点构造的PCRAM的三维化研发。（记者：野泽哲生）
■日文原文
IntelとMicronが新型メモリーを発表、「NANDの1000倍」 http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20150729/429860/
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