全球DRAM龙头韩国三星电子近期通知相关电子委托制造厂，计划调涨第4季移动内存（Mobile DRAM）合约价，涨幅近一成，反映DRAM供货短缺仍未得到缓解，加上地缘政治紧张的预期心理，涨势可望延续至今年第4季。
内存厂商强调，DRAM从去年起涨，主要受惠数据中心的服务器用DRAM需求强劲，加上网通类产品的需求随导入嵌入式多芯片封装内存的整合架构，带动DRAM需求增加，但供给端因DRAM产业制程已接近极限，前三大厂包括三星、SK海力士和美光等也未增建新厂，造成供货紧缩，使平均销售单价居高不下，创下史上涨势幅度最大且最久的纪录。
不少分析师预期DRAM价格将在本季创高峰，但受到美光桃园N2厂氮气厂纯化设备毁坏影响，DRAM缺货不仅短期难解，价格涨势也超乎预期。
稍早集邦调查，7月DRAM合约价单月涨幅达4.6%，虽然美光桃园N2厂已陆续恢复生产，美光也计划在未来几个月增产，弥补这段时间生产线影响的缺口。
但据调查，美光桃园N2厂这次受损及报废的12吋DRAM晶圆估计达5万片，且多数以供货给苹果手机和相关服务器用的低功耗移动DRAM，给全球最大移动内存供货商三星填补缺口的机会，并决定在第4季各大手机和移动设备备货旺季，调涨移动内存售价。
根据内存分销商透露，三星已通知相关电子代工厂，第4季调涨移动DRAM合约价，涨幅约一成。
元器件大缺货开始影响下游系统厂
第3季进入传统电子产品销售旺季，但今年受到DRAM、NAND／NOR Flash缺货冲击，加上金氧半场效晶体管（MOSFET）供货吃紧，已影响到下游系统厂的出货，除笔电厂及手机厂出货因此递延，家电及电视厂也开始对库存进行调控，这些都进一步影响到其它芯片厂第3季出货。
上半年是电子产品出货淡季，虽然DRAM及NAND／NOR Flash缺货，MOSFET供货不足交期拉长，但并未真正影响电子产品供应链。 惟第3季的传统出货旺季已经到来，内存缺货问题不仅未获纾解，供给缺口反而更大，加上MOSFET供货不足，连微控制器（MCU）交期一再拉长，许多系统厂及ODM／OEM厂大感意外。
一线系统厂及ODM／OEM厂如苹果、华为、联想、华硕等业者，上半年先向供货商绑好产能，内存、MOSFET并没有太严重的供给不足问题，只是难以避免价格上涨问题。 至于二、三线业者，第2季无法取得足够内存及MOSFET货源，第3季旺季期间更直接面临缺货压力，只好延后出货，连带影响其它芯片厂营运。
以数字机顶盒供应链来说，内存缺货导致出货延后，机顶盒芯片厂扬智7月合并营收月减23.3％达2.73亿元，射频芯片厂宏观微电子7月合并营收亦月减9％达0.83亿元。
宏观表示，受到内存价格上涨以及现货供货吃紧，机顶盒制造商客户递延出货，也因此减少对射频芯片产品的提货，宏观7月营收较6月下滑。 不过随电子产业进入传统旺季，射频芯片产品的出货会陆续回温。
此外，DRAM厂也全力增产因应，南亚科快速拉升20奈米投片比重提高位出货量，华邦电将DRAM产能移转生产需求最强劲的NOR Flash。 MOSFET厂如大中、尼克松、富鼎等，也积极争取晶圆代工产能提高投片量，下半年出货量将明显放大。
因订单只是递延，并没有因此取消，随着内存、MOSFET供货陆续增加，业者看下半年景气仍维持乐观。 以目前生产链的排程来看，8、9月的内存及MOSFET供货量将逐月提升，其它逻辑芯片厂出货也会稳定复苏，订单延后到第4季出货十分普遍，第4季可望成为今年最旺的一季。
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