晶振电路的优化

在无源晶振应用方案中，两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此，当发生程序启动慢或不运行时，尝试给晶振并联1MΩ的电阻。

这个1MΩ电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区不存在增益, 而在没有增益的条件下晶振不起振。简而言之，并联1M电阻增加了电路中的负性阻抗（-R），即提升了增益，缩短了晶振起振时间，达到了晶振起振更容易之目的。

在低温环境下振荡电路阻抗也会发生变化，当阻抗增加到一定程度时，晶振就会发生起振困难或不起振现象。这时，同样可以给晶振并联1MΩ电阻，并且为了增加振荡电路稳定性，给晶振同时串联一个100Ω的电阻，这样可以减少晶振的频率偏移程度。

注：并联电阻不能太小，串联电阻不能太大。否则，在温度较低的情况下不易起振。