9月2日,紫光集團旗下長江存儲宣布,公司已開始量產基於自主研發Xtacking架構的64層三維閃存(3D NAND),容量為256Gb,以滿足固態硬盤(SSD)嵌入式存儲等主流市場應用的需求,這也是中國首款64層三維閃存芯片,將使中國與世界一線三維閃存企業的技術差距縮短到兩年以內,被視為中國打破美日韓壟斷關鍵一戰。業界預測,長江存儲最快明年會跳過96層直接進入128層三維閃存,實現彎道超車。/大公報記者 凱雷、實習記者李劍寧北京報道
2日,來自長江存儲官網消息,上海中國國際半導體博覽會舉行前夕,公司宣布已開始量產基於XtackingR架構的64層「三階儲存單元」3D NAND閃存。作為中國首款64層3D NAND閃存,該產品將亮相博覽會紫光集團展台。
所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來,形成多層結構提供容量,使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。
縮短產品上市周期
長江存儲64層三維閃存是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品,擁有同代產品中最高存儲密度。創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合,相比傳統三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。
長江存儲相關負責人向大公報記者表示,長江存儲64層三維閃存產品的量產,將使中國與世界一線三維閃存企業的技術差距縮短到兩年以內。紫光集團聯席總裁刁石京表示,長江存儲進入到這個領域之前,國內一直沒有大規模存儲芯片的生產,未來,隨着雲計算、大數據的發展,人類對數據存儲要求是越來越高,三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域,它的量產也標誌着中國離國際先進水平又大大跨近一步,把中國產品水平跟海外的先進水平縮短到了一代。
明年底月產六萬片晶圓
存儲芯片競爭激烈,三星、海力士、東芝、西部數據、美光、英特爾等巨頭在產能上持續投入。2018年,64層、72層的3D NAND閃存就已經是主力產品,2019年開始量產92層、96層的產品,到2020年,大廠們即將進入128層3D NAND閃存的量產。
業界有關人士向大公報分析,長江儲存發展迅速,但目前表態保守,其雖然未公布量產規模,預計2020年底其可望將產能提升至月產6萬片晶圓的水平。據央視新聞報道,長江存儲64層三維閃存產品的量產有望使中國存儲芯片自產率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下,長江存儲的64層3D NAND閃存量產消息別具意義。
業界預測,長江存儲最快明年跳過96層直接進入128層三維閃存,實現「彎道超車」。據悉,長江存儲已推出Xtacking2.0規劃,藉以提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開啟定製化NAND全新商業模式等,相關產品將被廣泛應用於數據中心,企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域。
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