【日经BP社报道】据美国高德纳公司（Gartner）介绍，2014年全球半导体市场规模达到3398亿美元，比上年增长8％。拉动该市场增长的产品是DRAM。因供应不足，价格居高不下，DRAM的全球销售额比上年大幅增加32％。其原因是智能手机、个人电脑及服务器用产品需求旺盛。2014年是各DRAM厂商收入颇丰的一年。
以前，DRAM的价格总是大起大落，如今这一状况终于有了改变。但从技术方面来看，微细化及大容量化正在紧急刹车。DRAM市场和技术目前处于什么状况呢？记者就此采访了曾在2012年经营破产的尔必达存储器担任过技术董事、一直密切关注DRAM行业激烈竞争的五味秀树（现任美国美光科技公司日本工艺研发中心副总裁）。（采访人：大下 淳一，日经BP半导体调查）
——与以前相比，DRAM市场似乎正在变成一个安定的市场。 原因之一是一些市场参与者被兼并，比如尔必达破产。另一个原因是市场实现多样化。除了以往的个人电脑领域之外，用途还扩大到了移动设备、服务器及汽车等领域。按照不同用途来定制产品的色彩也越来越浓厚，比如出现了多样性封装，不再局限于JEDEC。DRAM已经不是一个仅仅只有成本竞争的领域了。
以前DRAM经常会陷入供应过剩的状态，但最近各公司每条生产线的DRAM产量（按照晶圆换算的处理枚数）已经不再增加。其原因是微细化减速，工艺成本也増大。结果导致供应吃紧的情况不断持续。从市场方面来看，正在朝着好的方向发展。
——请详细介绍一下微细化方面的现状。 进入2000年代以来，DRAM的微细化速度放慢了。最近2～3年，这种现象更加明显。从技术节点来说，这种情况从微细化低于30nm的时候就开始了。我们过去的目标一直是以每年30％的速度缩小芯片尺寸。现在要想做到这一点已经非常困难了。
原因大致有两个。一个是微细化所需要的成本提高，成本优势越来越难以获得。另一个是DRAM固有的问题，也就是电容器已经很难进一步实现微细化。随着电容器的微细化，长宽比已经到了极限水准。
就成本而言，双重图案化（Double Patterning）的导入带来了很大影响。在30nm工艺中，需要进行双重图案化的层并不多，而微细化至20nm工艺的话，每层都需要采用这种技术。而且，双重图案化为一维方向加工，与沿着二维方向缩小尺寸相比，自由度很小。尽管EUV（extreme ultraviolet，极远紫外）曝光装置也在不断开发之中，但目前还无法估算运转成本。
——应该针对这种情况采取什么应对措施呢？ 由于芯片尺寸无法充分缩小，因此需要采取调整存储器容量扩大幅度等措施。比如，目前的主流是4Gbit，下一个容量目标除了8Gbit之外，还出现了6Gbit选项。
虽然今后很难缩小存储单元，但周边电路还有缩小的余地，因此可以通过这方面的推进措施来缩小芯片尺寸。（为了弥补伴随着微细化而带来的性能劣化）还有一种方案是像NAND闪存那样设置ECC（纠错电路）。目前的现状是，就算采取多种这样的改善措施，也依然找不到降低成本的解决方案。
——最近出现了三维化的趋势。 通过TSV（硅通孔）来层叠多个DRAM芯片的HMC（Hybrid Memory Cube，混合存储立方体）就是其中的方案之一。这种方案具有可大幅扩大带宽的优点。这是美光（从收购尔必达之前）一直开发的技术，已于2014年开始量产。设有2GB产品和4GB产品，目前主要用于高端用途。此外还有（韩国SK海力士等公司推进的）HBM（High Bandwidth Memory，高频宽存储）规格，但HMC在产品化方面走在了前头。
至于（通过TSV层叠处理器和DRAM的）Wide I/O，目前的现状是没有出现明显的动向。虽然曾经有段时间移动设备用产品被认为大有前途，但后来并未被采用。估计很大一部分原因在于系统（用户）方面没有做好准备。
——如今DRAM的微细化越来越困难，能否用ReRAM（可变电阻式存储器）或STT-MRAM（自旋注入磁化反转型MRAM）来代替DRAM？ 非常困难。能够完全代替DRAM的新型存储器目前还没有出现。虽然也有观点认为可以将ReRAM或STT-MRAM作为（消除DRAM与NAND闪存之间性能差别的）存储级存储器（Storage-Class Memory）使用，但我认为，这种目标锁定新级别存储器的产品很难有机会大显身手。估计需要开发出以某种形式局部代替现有存储器的元器件。
ReRAM很难成为一种替代方案。STT-MRAM也很难像DRAM那样实现无限次擦写。不过，新型存储器具备DRAM所没有的非易失特点，可以灵活运用这一特点。
■日文原文
DRAM業界は“大人”になった http://techon.nikkeibp.co.jp/article/INTERVIEW/20150322/410460/
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