湿法黑硅多晶太阳能电池研究及工业化生产评论

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目前多晶硅片表面的工业化黑硅制绒技术有两种方法--湿法制绒和干法制绒。湿法黑硅（MCCE）技术利用AgNO3中的Ag/Ag 系统能量远低于硅的价带，使Ag 得到硅的价带电子，利用H2O2/HF腐蚀过程在Ag周围加速与硅反应，使得腐蚀系统能在硅片表面腐蚀出纳米级绒面。干法黑硅（RIE）技术利用微波将SF6、O2、Cl2三种气体等离子化，在电场加速下对硅片表面进行轰击，同时发生化学反应，在硅片表面腐蚀出纳米级绒面。