晶体三极管

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一、晶体管的结构和符号

小功率管 中功率管 大功率管

发射区：多子浓度高 基区：多子浓度很低，且很薄 集电区：面积大

晶体管有三个极，三个区，两个PN节

二、晶体管的放大原理

（PN结正偏与反偏：将电源正极与二极管P极相连就是正相偏置，二极管处于导通状态；反之正极接N极就是反向偏置。）

ICBO:少数载流子的运动

IEP:基区空穴的扩散

ICN:因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子飘移到集电区

IBN:因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合

IEN:因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区

扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC.

电流分配：IE=IB+IC

IE——扩散运动形成的电流

IB——复合运动形成的电流

IC——漂移运动形成的电流

：直流放大系数

：交流放大系数

ICEO:穿透电流 ICBO:集电结反向电流

问题：为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？

虽然基极开路，但集电极和发射极加上电压后，电位分布的高低是从集电极到发射极依次降低的，而这三个区中存在两个PN结，同时也满足了集电结反偏和发射结正偏的情况，从集电区向基区出现的“反向饱和电流Icbo”，在基极没有出路，就流向发射极了。这一流动，就形成了一个Ib。这个Ib，就引出了一个β倍的Ic; 这个Ib和Ic之和，就是穿透电流Iceo，等于(1+β)Icbo。

三、晶体管的共射输入特性和输出特性

1.输入特性

为什么像PN结的伏安特性？

为什么UCE增大曲线右移？

为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？

对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。

2。输出特性

对应于一个IB就有一条ic随着uCE变化的曲线

β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下

晶体管的三个工作区域

晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流ic几乎仅仅决定于输入回路的电流iB,即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。

四、温度对晶体管特性的影响

五、主要参数

直流参数： /β、/α、ICBO、ICEO

交流参数：β、α、fT（使β等于1的频率）

极限参数：ICM(最大集电极电流)、

PCM(最大集电极耗散功率，PCM=iC *uCE)

U(BR)CEO(c—e间击穿电压)