三、开关参数
1. 内部门极电阻RGint
为了实现模块内部芯片的均流，模块内部集成了内部门极电阻。在计算驱动器峰值电流的时候，这个电阻值应算为门极总电阻的一部分。
外部门极电阻是客户设定的，它影响IGBT的开关速度。文章来源：http://www.igbt8.com/jc/156.html
推荐的Rgext最小值在开关参数测试条件中给出客户可以使用不同的和RGon 和RGoff
最小Rgon 受限于开通di/dt，RGoff最小受限于关断dv/dt。RG过小会引起震荡而损坏IGBT
RGext 的取值
IGBT要求的RGext 的最小值
驱动器要求的RGext 的最小值
2. 外部门极电容(CGE)
为了控制高压
IGBT的开启速度，推荐使用外部门极电容CGE
有了CGE ，开启过程的di/dt和dv/dt可以被分开控制，即可以用更小的RG ;从而实现了低的开关损耗和较低的开通di/dt
3. 门极电荷(QG)
QG 用来计算驱动所需功率，为VGE 在+/-15V时的典型值
4. Cies, Cres
Cies = CGE + CGC: 输入电容（输出短路） Coss = CGC + CEC:输出电容（输入短路） Cres = CGC: 反向转移电容(米勒电容) 频率f，所需的驱动功率:
5. 开关时间(tdon, tr, tdoff, tf)
开关时间很大程度上受IG(RG)、IC、VGE、Tj等参数影响，这些值可用来计算死区时间。
t
PHLmax：驱动输入高到低的延时
t
PLHmmin：驱动输入低到高的延时
6. 开关参数(Eon, Eoff)
英飞凌按照“10%-2%”积分限计算开关损耗，而有些其他厂商按照“10%-10%”计算，后者结果比前者会小10 –25%
Eon, Eoff受IC, VCE, 驱动能力(VGE, IG, RG), Tj和分布电感影响我们假设Eon和Eoff 正比于IC,在VCE_test（900V)的20%范围内正比于VCE，则有：
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