反激电源作为最常用的拓扑之一，设计好变压器和MOS这两个器件就很重要，变压器的漏感会带来原边振铃，其产生的电压尖峰会损坏MOS，想必大家对如何抑制振铃都很感兴趣。
话不多说，赶紧给大家上干货。
在反激电路中，MOS管关断之后变压器会将原边的能量转移到副边。但漏感中的能量却无法转移，这部分的能量会在电路中的杂散电容上产生振铃。所以说振铃产生的根本原因是漏感的存在，但是漏感是无法消除的，一般只能通过设计绕线方式来减小漏感，漏感量通常是1%-5%的电感量。
常用减小漏感的绕线方式就是“三明治”绕线法，类似我们吃到三明治，将初次绕组Np一分为2，将次级绕组Ns包住，即先绕制一半Np，再绕辅助绕组，最后再绕剩下一半Np。
反激电路中，MOS在关断后，其两端电压由三部分组成，输入电压最大值Vinmax，副边折射电压VoR=N x Vout和振铃产生的尖峰电压Vspike，在输入输出电压，匝比N和MOS选定的情况下，我们就需要尽量抑制Vspike来保证MOS工作在应力范围内。在抑制振铃方面，通常工程师会选择RCD钳位电路，因为其设计简单、成本较低， 并且可以有效压制电压尖峰。
RC钳位电路的选择就是重中之重了，不合理的RC也同样会导致MOS应力变大或者电路功耗变大，下面来介绍下RCD工作，看完就会对如何设计RC一目了然。
MOS开通时刻，能量存储在励磁电感Lm和漏感Ls中，当MOS关断时候，Lm中能量会传到副边，但漏感中能量却不会。这时候漏感会释能，D1导通给C1充电，当充电电压到达Vclamp时，D1截止，C1通过R1放电。接下来，根据能量守恒的原则和以上的计算公式，可以推导出R1值（见如下计算公式），R1在具体选择时需要考虑电阻功率1/3的降额。
箝位电容C1的值应取得足够大以保证其在吸收漏感能量时自身的脉动电压足够小，通常取这个脉动电压为箝位电压的5%--10%这样，我们就可通过下式来确定C1的最小值，C1需要选择寄生R和L较小的。
总而言之，想要控制好反激原边振铃，RCD可以作为一种简单有效的抑制手段，通过合理设置RC，可以较好地吸收漏感能量，同时不消耗主励磁电感能力，还能将尖峰电压钳位到一个合理的范围内，既抑制了电压尖峰，又减轻了功率器件开关应力，简直是一举两得！
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