高压包的作用 高压包的作用2011-08-3014:02 高压包 显象管里电子枪里发射出的热电子轰击屏幕上的荧光粉荧光物质就会发光。电子的速度越大亮度就越大。要提高电子运行的速度只有建立正负相吸的电场。高压包里输出的交流电经过整流可以建立正极在前的高压电场电子在这个电场里得到加速图象就有了足够的亮度。 输出高压直流电就是高压包的作用。 高压包的作用 高压包正名是行输出变压器也称为行包或行变显示器的高压包和电视机的工作原理基本一致其主要作用是产生阳极高压另外提供聚焦、加速、栅极等各路电压。注意偏转电流的能量提供者并不是高压包而是S校正电容在行管截止时B电压通过高压包、偏转线圈对S电容充电电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温、高频率、高电压、大电流的状态加上外部环境潮湿或多尘等因素影响使高压包损坏几率较高。与高压包相关的关键词及专业术语 1、HV--阳极高压。随着显示器尺寸不同HV电压也不同。通常14/15寸机的HV值是24KV到25KV17寸机是27KV到29KV19寸和21寸机是30KV到35KV。 2、FV--聚焦电压有时称为G4。FV电压通常在HV端以电阻电位器分压方式取得电压值是3KV到9KV。如果是双聚焦的就分为FV1和FV2其实是内部多设一组电位器而已。 3、SV--加速极电压也称为G2。SV/G2电压也从HV端分压取得其电压值是300V到800V。注意有些高压包不从HV端分压输出SV/G2电压而是在包内另设绕组或在行管C极将逆程峰值整流获得这样做的目的是使SV/G2受到电路控制方便工业装配。注意在行管C极整流时获得SV/G2电压时必须采用高速整流管否则响应不到逆程峰值只能得到与B一样的电压。 4、DF--动态聚焦。显示器尺寸增大时屏幕中央和四周的聚焦就容易变得不均匀就需要加入动态聚焦电路使FV电压在扫描到边缘时增大。在双聚焦显象管中动聚通常加入到水平聚焦极中。其实就是一只10KV/102P电容接到FV而已。 5、SFR--包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端通常是接地的但有些机型将其用作信号取样在高压变动时使电路作出补偿。 6、HVR--包内HV端取样电阻的冷端。此电阻直接取样于HV端阻值大到必须兆欧表才能测量。其作用也是HV变动检测。 7、HVC--包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地但有些机型将其用作信号取样检测高压变动。 8、G1--栅极负电压。通常在包内绕组获得G1电压值是-100V到-200V。控制G1电压可控制光栅亮度进入显象管的G1电压是-30V到-100V关机消亮点通常也在G1控制电路内完成使关机时G1负压变低显象管就被截止了。注意有些机型的G1电压是固定的甚至是接地的它们的亮度控制方式是改变三枪阴极的电压关机消亮点方式是瞬间降低阴极电压光栅瞬时高亮将高压释放掉。两种亮度控制方式各有优劣调制G1可得到较大的亮度范围但期间白平衡不均匀调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定但范围较小。 9、AFC--行逆程脉冲。AFC原意是自动频率控制在显示器中送入扫描芯片的同步信号、CPU需要的行检测信号和OSD菜单所需要的行脉冲都泛指为AFC。AFC取样可以在高压包内绕组输出也可以在行管C极用分压电压取得后者故障率较高。 10、FB--高压或二次电源取样信号。FB原意是频率返回也就是行回扫脉冲在显示器中FB电压常作为高压包输出电压的参考点反馈回二次电源实现B电压稳定输出。有时FB信号也与AFC信号混在一起并没有特别要求要独立取样。 11、ABL--自动亮度控制。ABL端总是内接高压绕组的冷端用来检测HV的电流大小当亮度过大时HV电流必然增大ABL电路检测到这个情况就可作出反应限制亮度再增加。建议维修人员配备100K电阻量程的万用表MF10型或兆欧表就可测量ABL端到HV帽的电阻来判断高压硅堆是否有短路或漏电又可
以测量包内高压电容是否漏电。注意10K电阻量程无法测量高压硅堆和高压电容。 12、初次级绕组--接在高压包B输入端和行管端的就是初级线圈其他是次级线圈。初级线圈线径大匝数也不多发生故障几率非常小而次级高压线包的线径极小而匝数极多就容易发生匝间短路。 13、电感量--交流电流通过线圈而产生的感抗就是电感量。对直流电而言线圈的阻抗为零忽略线材本身的电阻率但对于高频信号三几圈的感抗也很大。电感量的单位是ML毫亨。 14、正程和逆程--简单的说行管导通时就是扫描正程截止时为扫描逆程。两者都有电流通过高压包正程时高压包储能逆程时释放能量。 15、正程和逆程整流--由于正程和逆程的峰值相差8到10倍因此一个绕组采用不同的整流方式所产生的电压值也就相差8到10倍。正程整流的电压低但电流大逆程整流的电压高而电流小但两者的输出功率相同。 16、绕组的极性--因为扫描正程和逆程的峰值不同绕组的输出必须要区分正负极。如果高压包不需改动那么绕组的极性是厂家在引脚中已经决定了的如果要在磁芯中加绕线圈就不能不注意其极性了。以80060060的分辩率即37K行频在磁芯中绕一圈为例将高压包引脚朝下磁芯对着自己则左边的线头是正端右边的线头是负端。将负端接地在正端接以正整流可得到约20V电压接以负整流可得到-3V电压将正端接地在负端接以正整流可得到3V电压接以负整流可得到-20V电压。大家一定要将以上理解清楚在加绕线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而有所不同但具体差距并不太大在绕线估算电压时可以作为参考。 17、高压独立--高压包和行偏转分离的电路形式。在传统行输出电路中高压电流和偏转电流都要经过行管使之负担较重故障频生于是新型的设计将高压电路独立出来可以设计出更高效的电路形式实际上高压独立的高压开关管损坏机率非常低。 18、高压独立的电路结构--现在的高压独立电路大约有5种类型。 1采用二次电源调整的单管输出形式。如下图以SONY-200GS为例170V电压经过二次电源降到约80V输入高压包开关管一只单独的场效应管这种方式与传统的行输出相类似。 2没有二次电源的单管输出形式。如下图以SONY-E220为例80V电压直接输入高压包开关管是一只单独的场效应管这种方式要求开关管的激励控制电路能控制较大的占空比以得到较大的高压调整范围。 3采用高电压的双管对称输出方式。如下图以EMC/CTX等机型较多采用180V电压直接输入高压包再接入一只N型场效应管该管导通时初级线圈储能在初级线圈两端反接一只P型场效应管输入反相的激励在N型管截止时它就导通将初级线圈能量快速释放次级就感应出电压。 4采用低电压的双管对称输出方式。如下图以飞利浦机芯较多采用80V电压直接输入高压包再接入一只N型场效应管另外在高压包设一个绕组其输出接一只场效应管。激励信疟环殖闪铰芬宦非跫断呷毓苁怪纪ㄊ高压包储能另一路倒相后驱动另外一只管使之导通时高压包可以快速释放能量。它们之间的关系是一只导通则另一只截止。 5采用储能变压器的双管输出方式。如下图这种方式最为复杂以三星、DELL机芯较多采用。190V电压先输入一只普通行管的C极B极加以行激励E极就输出以行频变化的方波峰值仍是190V之后进入储能变压器再到场效应管另外行管E极也接到高压包初级由高压包出来后以一只放电电容接回行管C极。在场效应管导通时变压器储能在场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。行管在此仅输出以行频变化的方波提高效率作用与一只二次电源管相当真正的开关管是场效应管。 19、高压独立高压包的绕组特点--由于在高压包内的电流近似于方波效率很高它的初级绕组圈数就设计得较少比传
统高压包初级少1到3倍匝数同时由于正程和逆程的差别较小那么在磁芯上绕取线圈所得到的电压就有所不同与上述15、16项对比无论绕组在哪头接地无论正整流还是负整流所获得的电压值基本一样类似于市电的交流变压器输出也正是由于其初级匝数少按照感应比例次级每匝将获得较高的电压在80060060分辩率下每圈的电压是6V到8V比传统高压包在正程时每圈仅获得3V的电压值要高。如何判断高压包是否损坏 根据高压包病灶的6个类型损坏后的症状略有不同。 1、包内高压电容击穿。这是造成高压包损坏的最大成因大约有四成的高压包损坏与它有关。包内高压电容的容量约为2700P比显象管锥体所形成的电容1600P高一些两个电容并联在一起总容量就有4300P以上可以帮助减少屏幕的呼吸效应。由于包内高压电容的绝缘介质的绝缘强度远及不上显象管的玻璃而且电极间距小当高压过高或工作时间过长就很容易发生击穿。注意高压电容击穿后HV端对地阻值不一定为零而是通常出现数千欧到数百千欧的阻值。这是因为电容内的绝缘介质被高压击穿碳化后仍有一定阻值将万用表设10K档测高压帽对地或对HVC端的阻值正常时为无穷大如出现阻值可判断包内高压电容击穿。高压电容击穿后使HV输出短路开机则行电流巨大通常会锁机或出现间歇啸叫并且很容易烧行管。包内高压电容击穿后在通电瞬间绕组电流剧增ABL端子所外接的电阻通常会过流烧焦这是一个判断其损坏的明显表徵。 2、包内高压绕组匝间短路。这也是经常导致高压包损坏的原因由于包内次级短路造成行电流大增轻则锁机保护重则烧行管。由于高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部发生因此包体发热严重很容易判断。如果被保护快速锁机就用低行压供电使其继续工作诱使故障病灶出现而且行电流不至于巨大行管还是安全的。 3、包内高压硅堆击穿或漏电。高压硅堆击穿或漏电后不经整流的交流高压加在滤波电容上但电容不能隔离交流电压其结果相当于短路与高压电容击穿所造成的表象很接近相比之下症状要轻一些所以通常高压硅堆损坏后ABL电阻并不一定烧毁但行电流一样巨大。怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢只能使用兆欧表或带有100K量程的万用表将黑笔接地或ABL端如果高压包已拆离电路就只能黑笔接ABL端红笔接高?/B>帽正常时会有10兆欧左右阻值高压硅堆导通的内阻将表笔对调测量时表针会划动一下就归零包内高压电容充放电如果测得阻值较低小于5兆欧就基本可以确定包内高压硅堆漏电或击穿了。 4、包内初次级绕组短路。这种症状就不需要多说了B被直接短路到地了结果与行管击穿一样。 5、包内聚焦组件老化。这种故障也很直观就是聚焦电压或加速电压不稳随着开机时间延长图像聚焦越来越差。在排除了管座、G2滤波电容及机内潮湿漏电后故障仍然存在就可以肯定聚焦组件损坏了。 6、包体绝缘下降。这种情况在潮湿天气或老机中经常发生表现为包体对外放电轻则产生小电弧有嘶嘶声重则电弧大并有啪啪声如果包体对内打火就只听到啪啪声而没有电弧产生。因为高压放电HV电压瞬间下降势必造成图像亮度及大小变动甚至锁机或烧行管等。改高压包的准备工具 1、电容电感表。最要紧的是电感表可以测量原包与改包的绕组电感量如果两者所有绕组电感量相差在10以内则成功率非常高。 2、万用表。最好配备有100K电阻量程的表可以测量高压硅堆是否正常。 3、50V/2A的外部直流隔离电源。之所以用50V的电压是因为该电压值较安全之余还能产生勉强够的高压让屏幕有显示如果还有其它的故障隐患便可在故障扩大之前看到并加以解决。
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