光电三极管和光电二极管一样也可集成组成阵列结构，也可工作于电荷储存模式。即积分模式。光电三极管与需要有驱动取样电路来读取电信号。在工艺制作上，单发射光电三极管阵列需作隔离扩散，工序较多，集成度及成品率受限制，因而三极管阵列改用双发射极三极管阵列结构，其特点是不需要隔离扩散，工艺简单，寄生电容减小，集成度和成品率也进一步提高。
双发射三极管的单元电路及工作原理。当E2加上读出斜脉冲时，可以在E1上将信号读出。在分析时，把E2、B结看成是一个电容，E2B结的
电容起着耦合电容的作用。当E2电位UR2变化时，B的电位随之变化。当每次读出终了时，各结电容充电，管子处于反偏状态。如果阵列器件对入射图像曝光时，光照产生的电流不断使结电容放电，即为积分时间，此时加一读出脉冲，使B的电位上升，当BE2结变为正向偏压时，便有一信号输出，随着电流的输出，B的电位下降，当电流为零时，B的电位为零，即此次读出完了，电容进行再充电，准备下一次读出。
输出信号大小由E2上所充电荷量决定，饱和输出信号峰值UPS随三极管放大倍数β0的增加而增加，但与普通三极管不同，它不需要很大的β0来增加灵敏度，而主要是靠提高量子效率。
电荷耦合器件及图像传感器。电荷耦合器件发明始于1969年，它是在MOS电路基础上发展起来的，可以说是MOS电容的一种应用。在适当次序时钟的控制下，CDD能够使电荷量有控制地穿过半导体的衬底而实现电荷转移。
结构：所谓MOS，即金属-氧化物-半导体的缩写。MOS结构中，其中金属为MOS结构的电极称为栅极（此栅极材料通常不是用金属而是用能够透过一定波长范围光的多晶硅薄膜）。半导体作为衬底电极，在两电极之间有一层二氧化硅绝缘体，构成电容，但他具有一般电容所不具有的耦合电荷的能力
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