MOS与BJT的原理及区别---知识点整理
MOS原理:
BJT原理:
BJT分为NPN和PNP。原理都是一样,比如NPN管,由两个共阳极的PN结组成。因此在N区会产生很多电子,在P区会产生很多空穴,此时在PN结处会感应出由发射区指向基区的静电场。当基极对发射区外加正向电压(大于内建电场)时,会打破空穴与多子的平衡,基区的电子开始往发射区扩散(PN结的导通电压一般为0.7V),此时如果再在集电极与发射极加正向电压,那么发射极的电子往基区运动(电子的方向都是反方向的),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,集电极的电子又通过电源回到发射极,形成一个平衡。这就是NPN的工作原理。
MOS与BJT的区别:
1、MOS是电压控制型元件,BJT是电流控制型元件;
2、MOS线性较好,BJT线性较差;
3、MOS噪声较大,BJT噪声较小;
4、BJT输入电阻小通过的电流大,因此功耗较大;
MOS的输入电阻大,几乎不消耗电流常用来做电源开关管,以及大电流地方开关电路;
5、MOS的第一参数是跨导gm,BJT的第一参数是电流放大倍数贝塔值;
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