来监视RAS周期,一旦超过RAS周期,则将周期
自动复位为0。
Memory
Relocation:内存重新定位。即将384的上位内存(Upper Memory
Block)数据转储到1MB以上的扩展内存中。
Memory
Hole:有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用,可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止,除非ISA扩展卡有专门的说明。
DRMA Timing
Setting:快页内存或EDO内存速度设置,通常是60ns或70ns选择,对10ns或更快的SDRAM内存无效。
Fast MA to RAS Delay:设置内存地址(Memory
Address)到内存行地址触发信号(RAS)之间的延迟时间。
DRAM Write Brust Timing:CPU把数据写如高速缓存后,再写如内存的延迟时间。
Fast RAS To CAS
Delay:行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。
DRAM Lead-Off Timing:CPU读/写内存前的时间。
DRAM Speculative
Read:设置成允许时,读内存的时间比正常时间提前一个时间周期,可以提高系统性能。
DRAM Data Integrity
Mode:选择内存校验方式是Parity或ECC。
Refres RAS
Assertion:设置内存的行地址刷新时间周期,对质量好的内存可以延迟刷新,从而提高系统性能。
RAS Recharge Period:内存行地址信号预先充电所需要的时间。
Fast EDO Pat
Select:设置选择对EDO内存读/写的快速途径,可以提高系统性能。
SDRAM RAS Latency:设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。
SDRAM RAS Timing:设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间,也即刷新时间。
Peer Concurrency:为提高系统并行,使CPU对高速缓存或内存或PCI设备,或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行。系统智能越高,同CPU并行的操作越多,性能提高越多。
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