一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G,S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单，很容易造成驱动波形异常。大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后,再经过隔离驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片来驱动MOS管，Siliconlabs针对MOS管驱动推出了半桥MOS驱动芯片SI823X系列隔离驱动芯片。
本文先分析几款MOS管驱动波形:
如图1所示出现了这样圆不溜秋的波形，MOS管就有炸管的危险。通过波形看出MOS管有很大一部分时间管子都工作在线性区，损耗极其巨大。一般这种情况是布线太长电感太大，栅极电阻都救不了你，只能重新画板子。
图1 MOS管异常驱动波形一
如图2，高频振铃严重的驱动方波。在上升下降沿震荡严重，这种情况管子一般瞬间损坏掉。跟上图1波形情况差不多，进线性区。原因也类似，主要是布线的问题。
图2 MOS管异常驱动波形二
如图3出现又胖又圆的肥猪波。上升下降沿极其缓慢，这是因为阻抗不匹配导致的。芯片驱动能力太差或者栅极电阻太大。果断换大电流的驱动芯片，栅极电阻往小调调就OK了。
图3 MOS管异常驱动波形三
如图4，上升沿下降沿有尖峰的方波。高低电平分明，电平这时候可以叫电平了，因为它平。边沿陡峭，开关速度快，损耗很小，略有震荡，可以接受，管子进不了线性区，强迫症的话可以适当调大栅极电阻。
图4 MOS管异常驱动波形四
如图5所示，无振铃无尖峰无线性损耗的三无产品，这就是最完美的波形了。
图5 MOS管正常驱动波形
Silicon Labs半桥MOS隔离驱动芯片SI823X拥有高达5KVRMS的输入输出隔离性能，高达8MHz的开关频率，以及高达4.0A的峰值输出能力，可以满足不同频率段和功率段的MOS驱动要求。同时SI823X不仅充当隔离的角色，还带有驱动MOS的能力，以及可编程的死区时间控制，极大的简化了线路设计，减少了PCB的使用面积，从而减少驱动波形出现图1和图2的几率。从以上可以看出，选用SI823X可以简化MOS驱动电路同时，获得更稳定的驱动性能。
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