MOS管和IGBT对比

常用的MOS管和IGBT有什么区别呢？对比如下:

1.简介

MOS管中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其输入阻抗高、开关速度快、热稳定性、电压控制电流等特性。常用MOS管生产厂家有东芝，富士，IR，仙童，英飞凌等。

IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管。是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。常用IGBT管生产厂家有东芝，富士，仙童，英飞凌等。

2.外观

NPN型IGBT和N沟道增强型MOS管外形看起来是差不多的，如下图：G-G，C-D，E-S位置相对应。

3.体二极管

体二极管是封装在管子内部的，也叫寄生二极管或续流二极管。

MOS管和IGBT内部一般都有体二极管。具体需要查看规格书。

关于体二极管的作用，有两种解释： 

A、MOS管的体二极管，作用是防止VDD过压的情况下烧坏管子，因为在过压对管子造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免管子被烧坏。 

B、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。 

4.导通电阻

MOS管存在导通电阻高的缺点，因此在高压大电流场合功耗较大；

IGBT实际就是MOS管和晶体管三极管的组合，但IGBT克服了这一缺点，在高压时仍具有较低的导通电阻，因此较大功率场合下表现较好。

5.开关频率

MOS管的高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz；

IGBT存在关断拖尾时间，由于关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率，适用于频率较低的场合。目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。

6.适用场合

MOS管适用于开关频率高和较小输出功率的场合；

IGBT适用于开关频率低和大功率输出的场合。