点评:中车时代电气碳化硅器件项目通过科技成果鉴定
■ 面对日益严苛的能效要求,节能减碳已成为现今电子产品不可忽略的重要环节;传统以硅为材料的功率半导体,正逐渐面临发展瓶颈,而具有比硅更低导通电阻及更高切换速度的碳化硅(SiC)功率器件以其优异的高耐压、低损耗、高导热率等优异性能,有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。
■ 过去几年,基于碳化硅(SiC)功率半导体器件的解决方案使用大幅增长,它将引发一场类似于蒸汽机一样的产业革命,推动这一市场的发展动力来源与我们对于电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。
■ 中车时代电气SiC SBD和SiC MOSFET功率器件项目通过科技成果鉴定且部分产品已应用于光伏逆变、轨道交通、电动汽车等领域,将极大地完善我国碳化硅(SiC)功率半导体器件产业链,推动实现碳化硅器件的大规模应用。
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