比NAND快千倍的MRAM将发布，未来不分RAM/ROM

随着存储行业快速的技术迭代，LPDDR4X、UFS2.1等产品纷纷面市，但由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩工艺已逼近极限，素以半导体巨头皆正大举发展次世代内存。

英特尔研发“3D cross point”技术，拟推相变化内存（PRAM）。三星电子不甘示弱，发布磁阻式随机存取存储器（MRAM，magnetoresistant random access memory），号称读写速度比 NAND Flash 快上一千倍。

fudzilla、IBTimes、韩国经济日报报导，市场估计在 5 月 24 日的一场晶圆厂商论坛上，三星将会发布该公司所研发的 MRAM 内存，此种次世代存储器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的优点，被认为是一种通用型存储器，能够让手机实现内存/闪存二合一。它无须电源也能储存资料，而且处理速度极快，三星还加入了自旋转矩技术（STT），可以加大降低功耗。

MRAM结构图（Sources:samsung）

三星宣称，MRAM 是非挥发性存储器，采用自旋传输科技（Spin-torque transfer）读写数据，速度比 NAND 快了一千倍。不仅如此，MRAM 更省电，使用时（active）耗电量比传统存储器少，停用时（inactive）更无需用电。

目前次世代存储器包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量产难度较高。现在三星只能少量生产，但是预期能尽速克服生产障碍。

全球最大半导体代工厂台积电亦曾在 4 月 13 日对外说明，台积电绝对不会踏入标准型内存领域，因为台积电目前已具备“量产”MRAM 及电阻式动态随机存取内存 (RRAM) 等新型内存的技术。

三星同时宣布，欧洲大厂恩智浦半导体（NXP Semiconductors）的物联网半导体将采用 MRAM，双方签订晶圆代工协定，将量产 28 纳米的全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）。

IBTimes 猜测，倘若三星 MRAM 量产进展顺利，或许今年下半问世的 Galaxy Note 8 就会内建 MRAM，以便做出市场差异化。MRAM 用于智能手机可加快处理速度，并更为省电。

外媒phonearena持有不同意见，他们认为三星目前无法生产出超过几兆字节MRAM，因此MRAM目前只适用于作为处理器的高速缓存。

不过，我们依然看好MRAM的应用前景。据知名爆料人士@i冰宇宙消息，未来MRAM将具备更大容量，作为闪存和内存二合一的存储体，上市节点可能在2020年以后。

如果这一愿景成真，那么我们无需区分RAM和ROM，逆天的512G/1TB内存不再是梦想。