半导体光刻工艺中不可缺少的光致抗蚀剂（光刻胶）
光刻胶主要是由成膜树脂、光引发剂、溶剂为主要成分的。还包含有抗氧化剂，均匀剂和增粘剂等辅助成分。
成膜树脂：以正胶为例，大部分正性光刻胶的树脂是酚醛树脂，一种苯酚和甲醛合成的树脂，其分子链的长度是光刻胶性能的关键调节因素;长的分子链可以提高热稳定性，减少残膜率和显影速率，短分子链能提高粘度，光刻胶则是这些混合的树脂依靠着物理和化学特性组合而成。
光引发剂：以i线正胶为例，光引发剂是一种带有重氮萘醌基团的化合物，在经过曝光后转化为一种羧酸，伴随氮气的释放和水分的吸收，加速在碱溶液中的溶解速率。混合该化合物后的线性酚醛树脂，可通过曝光来改变其在弱碱性溶液中的溶解速率，以达到图形化的目的。
溶剂：几乎所有的正性光刻胶溶剂是PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯），光刻胶大约55-65%的原料是此溶液，有很好的溶解性，适合将成膜树脂和光引光剂液化以便于旋转涂敷。其沸点高达145摄氏度，常温下挥发性低，是一种稳定的溶剂。在烘烤过程中可以充分挥发，否则剩余的溶剂会影响光刻胶的性质。
光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶
应用：
模拟半导体（Analog Semiconductors）
发光二极管（Light-Emitting Diodes LEDs）
微机电系统（Microelectromechanical Systems MEMS）
太阳能光伏（Solar Photovoltaics PV）
微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）
光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）
封装（Packaging）
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