三星3D NAND生产基地转移 今明两年投资西安厂估43亿美元

传三星电子(Samsung Electronics)于2017~2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。

       业界消息指出，三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议，2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资，皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。

       三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的20%，且现有设备的产量已达理论最大值。设备业者认为，三星西安厂启动3年后的现在，以投入晶圆为基准计算，其3D NAND Flash晶圆月产能为12万片。

专家推测，西安厂与韩国华城厂L12、L16并列三星NAND Flash三大生产据点，平泽厂将于2017年第1季正式稼动，加上西安厂第二期稼动后，三星势必需调整其产能分配。

      半导体业界相关人士认为，三星3D NAND Flash未来生产很可能以大陆西安厂及韩国平泽厂为主，并将其目前最大NAND Flash工厂L12部分产能转为生产系统LSI或DRAM等产品，逐渐降低NAND Flash产量。

       DRAMeXchange分析三星产能移转状况，指出L12于2016年第4季晶圆月均产能达19万片高峰后，2017年第1季预估为17万片，第3季以后将减至12万片；三星NAND Flash生产基地将阶段性转移至平泽厂及西安厂。

      专家指出，存储器市场2017年起进入前所未有的超级周期(Super Cycle)是促使三星增加设备投资的主因。存储器市场一般以3~4年为周期，交替出现热况与萎缩，超级周期指出现长期热络的状况。

      韩国存储器业者表示，过去存储器应用主要限于计算机、智能型手机等装置，可直接掌握市场需求变化，随近来包括服务器、汽车、大数据(Big Data)、物联网(IoT)与人工智能(Artificial Intelligence；AI)等领域市场扩大，对NANDFlash需求也进一步提升。

      IC Insights预估，2017年存储器市场规模将达853亿美元，较2016年773亿美元成长10.3%，至2021年可望扩大至1,099亿美元的规模，年均成长率将达7.3%。

 

此外，值得提及的是：

三星电子(Samsung Electronics)在大陆西安半导体工厂因变电站意外造成产线暂停运行90小时，目前已恢复稼动，估计亏损约100亿韩元(约864万美元)，对NAND Flash市场并无太大影响。

      据韩国经济新闻报导，三星西安工厂18日凌晨传出变电站爆炸意外，短暂跳电导致产线暂停运行，21日傍晚6时30分已恢复100%稼动。三星西安厂附近的国电陕西公司330KV级变电站发生爆炸事故，邻近工厂大部分停止稼动。

       当时工厂发生短暂跳电，三星为保护半导体生产设备停止产线运行，并全力进行抢修。在掌握生产在线投入的12寸晶圆及检验设备异常情况后，确定实际受损晶圆约2,000~3,000片，低于初估的1万片。西安厂以晶圆计算的生产规模为每月10万~12万片。

       主要生产3D NAND的西安厂一暂停运行，部分证券业者和外电即提出生产量减少将导致NAND Flash价格攀升的可能性。

       三星内部人员表示，因损失规模小于预期，目前产线已恢复正常运行。

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