射极旁路电容对低频特性的影响的Multisim仿真及分析

小川今天给大家介绍的是射极旁路电容对低频特性的影响的Multisim仿真及分析。希望大家能够多多支持。

前两篇文章讲的是输入电容和输出电容对低频特性的影响的Multisim仿真及分析，今天我们讲的是射极旁路电容对低频特性的影响。说到电容很多人应该都知道，但是说到射极旁路电容可能有些人就不太清楚，那接下来我们先大概介绍一下射极旁路电容，再开始我们的仿真，这样更有利于大家看懂。

• 旁路电容

旁路电容可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路滤掉的电容，称做'旁路电容'。 对于同一个电路来说，旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，在这里顺便提一下去耦(decoupling，也称退耦)电容，去耦电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。

• 射极旁路电容

三极管的发射极旁边的旁路电容是用来将射极电阻旁路掉的，交流信号走电容这条路就可以走了。直流走不通，所以要走射极电阻，射极电阻是用来稳定静态工作点的。但是如果交流信号也走的话会减小输入电阻，所以要消除射极电阻的影响，加一个旁路电容。

仿真前

仿真中

波特图

保持其他元件参数不变，仅射极傍路电容由100µF减为10µF。双击波特图仪图标，按下述要求调节：Mode区，选择Magnitude；Horizontal区，选择Log，F值为100MHz，I值为1Hz；Vertical区，选择Log，F值为40dB，I值为-20dB。打开电源开关，就观察到完整的幅频特性曲线。拖动读数指针在曲线中间部位，测量出中频时的增益，再分别求出高、低端的-3db频率点，测得 f（L）=220Hz。可见影响低频特性的最主要原因是发射极傍路电容。