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MOSFET如何并联使用

并联是元件之间的一种连接方式,其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接,同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路电子元件的连接方式,即并联电路。

MOS管并联方法电路图

以3只IR公司的IRF2807MOS管并联试验为例,工作电路图如图1。

MOS管并联工作原理

在图1中,采用对每个并联的MOS管单独实限流技术来限制流过每个MOS管的电流。具体方法如下:

在每个MOS管串联作电流检测用的采样电阻(图中的RlO、Rll、R12),实时对流过每个MOS管的电流进行监测。3路分流器的采集信号均送人4比较器

LM339,作为判断是否过流的依据:只要流过任何一个MOS管的电流超过对其所限定的电流保护值,则控制回路依据送出的过流保护信号马上限制驱动脉冲的开度,保证当前流过每个MOS管的电流不超过所限定的电保护值。

在图1中,如果在PWNin驱动脉冲加入后,假定MOS1先开通,MOS2、MOS3暂时未开通,则电流只能先流过MOS1,而且电流被限制在其限制值以内;接着MOS2又开通,则部分原先流过MOS1的电流会被分流到MOS2,必然引起流过MOS1的电流小于其限制值,于是过流信号消失,PWNin驱动脉冲开度加大,直至电流重新到达MOS1或MOS2的电流限制点后,PWNin驱动脉冲才会停止增加。以后MOS3导通的又重复上述的电流分配过程,直至到达新的电流平衡。同理,可分析MOS管任何时刻单个或多个导通时电流的自行分配过程。

mos管并联注意事项

1、饱和压降VDs或导通RDSon:对所有并联的MOS管而言,导通时其管压降是相同的,其结果必然是饱和电压小的MOS管先流过较大的电流,随着结温的升高,管压降逐渐增大,则流过管压降大的MOS管的电流又会逐渐增大,从而减轻管压降小的MOS管的工作压力。因此,从原理上讲,由于N沟道功率型MOS管的饱和压降VDs或导通电阻RDSon具有正的温度特性,是很适合并联的。

2、开启电压VGS(th):在同一驱动脉冲作用下,开启电压VGS(th)的不同,会引起MOS管的开通时刻不同,进而会引起先开通的MOS管首先流过整个回路的电流,如果此时电流偏大,不加以限制,则对MOS管的安全工作造成威胁;

3、开通、关断延迟时间Td(on)、td(off);开通上升、关断下降时间tr、tf:同样,在同一驱动脉冲作用下,td(on)、td(off)、tr、tf的不同,也会引起MOS管的开通/关断时刻不同,进而会引起先开通/后关断的MOS管流过整个回路的电流,如果此时电流偏大,不加以限制,则同样对MOS管的安全工作造成威胁。

4、驱动极回路的驱动输入电阻、等效输入电容、等效输入电感等,均会造成引起MOS管的开通/关断时刻不同。从上所述,可以看出,只要保证无论在开通、关断、导通的过程流过MOS管的电流均使MOS管工作在安全工作区内,则MOS管的安全工作得到保障。为此,本文提出一种MOS管的新的并联方法,着重于均流方面的研究,可有效的保证MOS管工作在安全工作区内,提高并联电路的工作可靠性。

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