| 西瓜气雾栽培及关键技术 |
气雾栽培西瓜，产量高品质好，甚至可以实现一次种植多茬收获，利用发达气雾根的营养贮存功能，可以于一茬瓜收获前就留好预备枝，瓜成熟时连瓜带蔓剪除瓜蔓枝，把预备枝蔓悬吊引蔓计划下茬瓜培育，依此方式可以连收三茬，一般第一茬瓜收后45天又可以收获二茬或三茬瓜。
气雾栽培西瓜有多种模式，可以是梯架上梯面套种，也可以是沟槽式或者管道式雾培，也可以用简易的拱式雾培。雾培西瓜根系发达，生长发育良好，可以解决连作障碍，又可以实现减农药或免农药生产。雾培西瓜植株与花果器官也具有超常规发育特性，如果采用单株大根量雾培，单株最多可结三十多个瓜， 但生产上大多采用密植多茬，更利于单产提高。西瓜雾培大多用于中小型瓜种植，以生产精品瓜，外观糖度品质（一般糖度可提高2-3度）都比土壤栽培好，而且同样品种单瓜重也大大增加。西瓜雾培将会是未来西瓜种植的重要替代技术模式，特别是可以有效解决连作障碍，让西瓜在同一地块空间上进行永久持续耕作，无需更换地块，这对产业发展来说极为重要。
西瓜雾培植株发育生长极快，种植间距适当稀植，利用西瓜易发侧芽的特别培育茂盛的光合叶面积，可以单株留双蔓或者三四蔓结瓜。但至少留双蔓单株至少一茬结双瓜。西瓜雾培从育苗到成熟周期比土壤栽培短，可以实现多茬栽培。西瓜耐高温，在气雾培环境下只要根雾充足就是达45℃也不会造成太大的生理障碍，但西瓜最适温度为25-30℃，低于15℃生长发育缓慢，低于5℃有生理障碍，低于0℃受冻害，所以寒区的冬季生产得加温措施与补光结合。西瓜采用雾培后，枝蔓整理一般采用吊蔓悬引，所对瓜用网袋悬空固定，瓜着色均匀不像铺地生长瓜着地面皮色浅淡，影响外观。
西瓜雾培枝蔓生长快速，得保持良好通风透光，减少病虫害滋生。但同时得及时进行引蔓整枝，一般雾培西瓜这行双蔓整枝，单株留二瓜，留瓜部位一般于100-120cm高处，对该高处的花进行人工授粉，一般清晨7-10点进行，摘下雄花用花蕊对准雌花柱头涂蘸，于计划座瓜高处的节位上连涂2-4朵雌花，以助坐瓜，待瓜长至鸡蛋大小时，再行疏瓜定果，去除发育不好或畸形的，选留瓜型瓜位置适当的瓜。为了让每个瓜发育良好，得确保一定的叶面积系数，对于瓜位上方所抽发的子蔓与孙蔓进行连续的摘心处理，以形成充足的叶面积系统。如果要多茬连续采摘，可以于蔓的基处选留一蔓作为预备蔓培育。
上述为西瓜专用配方
通常西瓜坐瓜后30-35天成熟，但雾培会适当缩短发育时间，判断是否成熟不能光凭时间。西瓜雾培所选择的营养液可以采用园试配方、山崎配方及斯泰奈配方，也可以选用专用配方（如下）。但开花前养液浓度以EC值1.2ms/cm为适，开花后逐步提高至1.8-2.2ms/cm，近成熟时可以达到2.5-2.8ms/cm，有利于西瓜糖度的升高。但如达3 ms/cm时，就得谨慎，以防高浓度造成对根系的伤害。西瓜适宜的PH值一般保持在5.5-6.5左右。
拱型雾培西瓜
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