11月19日下午，未来科学大奖与清华大学联合学术报告会在清华大学FIT大楼二层多功能厅举行。2018年未来科学大奖数学与计算机科学奖获奖者林本坚，清华大学微电子学研究所所长魏少军，长江存储科技有限责任公司CEO杨士宁，北京兆易创新科技股份有限公司董事长朱一明，未来论坛理事、元禾华创投委会主席陈大同参加报告会，清华大学副校长杨斌出席报告会并致开场辞。
杨斌首先对林本坚先生获得未来科学大奖表示祝贺。他指出，未来科学大奖是中国首个由科学家、企业家群体共同发起的民间科学奖项，对于传播科学价值、唤起科学热情、启蒙科学精神意义重大。清华大学在科学传播和教育创新改革方面也做了许多探索，致力于推动基础科学创新，培养影响未来的科学家，这与未来科学大奖的设立初衷不谋而合。他同时提出，当前集成电路领域机遇与挑战并存，我们更加需要静下心来，回归科学精神，攻坚克难，大胆创新。
林本坚做主题演讲
光刻技术的发展推动了摩尔定律持续前行。几十年来，半导体光刻的光波长从436nm缩至193nm，但半导体特征尺寸缩小了1000倍，正是依赖于技术革新才得以实现。林本坚做了题为《把半导体原件缩到光波长的四十分之一》的主题演讲，从基本物理公式出发，介绍了四种改进光刻精度的方法，重点解释了以水为介质的浸润式微影技术的原理以及该技术对光刻发展历程的意义。也正是凭借此项发明，林本坚获得了今年的未来科学大奖。
魏少军做主题演讲
在《以架构创新推动摩尔定律持续前行》的主题演讲中，魏少军指出，摩尔定律已经推动集成电路技术持续发展50年，在人工智能时代，以架构创新的方法，采用动态可重构的计算芯片技术，应用资源复用的思想，使得硬件架构和功能可以随着软件的变化而变化，从而实现软件定义芯片，可以推动摩尔定律持续前行。
杨士宁做主题演讲
杨士宁则以《三维闪存的技术创新》为题，介绍了长江存储在三维NAND闪存技术的创新点。长江存储提出将外围电路和存储单元分别在不同的晶圆上进行制造，使得外围电路可以不受热效应的限制。通过采用更先进的逻辑工艺，实现了高速高密度存储，生产制造及研发周期大幅缩短，为我国三维闪存技术和产业的发展做出重要贡献。
对话环节
围绕摩尔定律是否终结以及半导体人才培养相关话题，与会嘉宾还展开了激烈讨论。林本坚认为，从尺寸微缩的物理角度看，摩尔定律会走向终结，但从经济及能效等方面看，还有很多方向和路径会推动摩尔定律继续前行。对于半导体人才应具备怎样的素质的问题，与会嘉宾一致认为，集成电路是研发周期长、智力密集的行业，需要从业者有扎实的基本功、良好的团队合作精神、强烈的好奇心及创新意识。
报告会开始前，杨斌在工字厅会见林本坚一行。杨斌介绍了清华大学学科建设、人才培养及国际化战略相关情况，并向林本坚赠送了纪念牌。
未来科学大奖成立于2016年，是由科学家、企业家群体共同发起的民间科学奖项。未来科学大奖关注原创性的基础科学研究，奖励在大中华区做出杰出科技成果的科学家（不限国籍）。未来科学大奖目前设置“生命科学”、“物质科学”和“数学与计算机科学”三大奖项。
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