上次写是PVD，也就是物理气相沉积。
今天就写CVD，也就是化学气相沉积。
CVD，其实就是化学反应，生成物沉积在玻璃表面，形成有机膜。
如下是资料上找的一张原理图：
再描述一下步骤就是
(1)反应原料气体分子由主气流带至反应区域(基板)附近；
(2)反应气体分子因浓度差而扩散并穿越边界层；
(3)反应气体分子吸附(或吸着)在基板表面；
(4)化学沉积反应发生-------沉积膜及副产物；
(5)二次生成物及为反应气体离开基板表面，二次生成物及未反应气体穿越边界层,二次生成物及为反应气体进入主气流，并由真空系统抽离
再来一张LCD行业常用的设备RF-PE CVD构造图：
CVD总结的还不够深刻，内容持续更新~
下面再补充一下CVD成膜原理：
【以TFT-array制程的非晶硅（a-Si）成膜为例】
成膜过程分两个阶段：
一、活性基的输送过程
二、活性基在基板表面发生反应形成薄膜的过程；
反应气体SH4在等离子体的氛围中，电离为各种离子或生成各种活性基，其中对实际成膜起作用的是SiH3+活性基。
SiH3+活性基到达基板表面后和氢原子结合生成SiH4。
SiH4脱离基板表面的同时在薄膜表面残留Si悬挂键，Si悬挂键吸附SiH3形成稳定的Si-Si化合物。
如下图所示：
再附上TFT各层膜的反应气体如下：
2016年2月23日更新~
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